一种瞬态抑制二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种瞬态抑制二极管及其制备方法，属于半导体过压防护技术领域，包括：步骤S1，提供至少三个芯片，对每一芯片的上表面分别进行植球，形成连接植球；步骤S2，对植球后的所有芯片进行组合预包封，形成一包封体；步骤S3，对包封体、所有芯片的下表面进行研磨处理；步骤S4，对研磨后的芯片进行电镀铜，形成电镀铜层作为芯片载体，并由每一电镀铜层的底面分别引出电极引脚；步骤S5，于包封体中对连接植球的上方进行电镀铜，形成金属铜连接层，以连接预定位置的芯片上表面的连接植球。本技术方案的有益效果在于：采用植球和电镀铜，增加导通面积，寄生电阻降低，导通阻抗显著降低，器件的通流能力和钳位电压都能有显著改善。

【技术实现步骤摘要】
一种瞬态抑制二极管及其制备方法
本专利技术涉及半导体过压防护
，尤其涉及一种瞬态抑制二极管及其制备方法。
技术介绍
随着智能手机、手表、手环、无线耳机等便携设备的不断发展，小型化、超薄化、超高集成度产品的要求越来越高，在芯片的性能不断提升的同时，存在诸多问题，例如：静电防护ESD(Electro-Staticdischarge)能力大幅降低；可靠性降低、返修率不断增加；续航发热严重，影响用户体验，同时存在一定的安全隐患；使用时死机、重启等，高速数据接口无法传输数据、丢包等，因此，整个电路系统中过压保护变得至关重要。瞬态抑制二极管(TransientVoltageSuppressor，TVS)是一种二极管形式的高效能保护器件。为了实现大功率超低电容，产品的封装尺寸均大于SOD323封装，SOD323封装产品的性能达到300W以上，电容在1pF以内，但是SOD323封装外形尺寸为2.6mm*1.3mm*0.9mm，其厚度接近1mm，无法满足超薄化和小型化便携设备的要求，相比而言，DFN1006封装的尺寸为1.0mm*0.6mm*0.3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种瞬态抑制二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S1，提供至少三个芯片，对每一所述芯片的上表面分别进行植球，形成连接植球；/n步骤S2，对植球后的所有所述芯片进行组合预包封，形成一包封体；/n步骤S3，对所述包封体、所有所述芯片的下表面进行研磨处理；/n步骤S4，对研磨后的所述芯片进行电镀铜，形成电镀铜层作为芯片载体，并由每一所述电镀铜层的底面分别引出电极引脚；/n步骤S5，于所述包封体中对所述连接植球的上方进行电镀铜，形成金属铜连接层，以连接预定位置的所述芯片上表面的所述连接植球。/n

【技术特征摘要】
1.一种瞬态抑制二极管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供至少三个芯片，对每一所述芯片的上表面分别进行植球，形成连接植球；
步骤S2，对植球后的所有所述芯片进行组合预包封，形成一包封体；
步骤S3，对所述包封体、所有所述芯片的下表面进行研磨处理；
步骤S4，对研磨后的所述芯片进行电镀铜，形成电镀铜层作为芯片载体，并由每一所述电镀铜层的底面分别引出电极引脚；
步骤S5，于所述包封体中对所述连接植球的上方进行电镀铜，形成金属铜连接层，以连接预定位置的所述芯片上表面的所述连接植球。


2.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，提供一第一区域和一第二区域，所述第一区域用于放置一个或两个所述芯片，所述第二区域用于放置两个所述芯片。


3.根据权利要求2所述的一种瞬态抑制二极管的制备方法，其特征在于，所述芯片包括第一芯片和第二芯片；
所述第一区域包括所述第一芯片或所述第二芯片，所述第二区域包括所述第一芯片和所述第二芯片；或
所述第一区域包括所述第一芯片和所述第二芯片，所述第二区域包括所述第一芯片和所述第二芯片。


4.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，研磨后，每一所述芯片的下表面位于所述包封体的同一底面上；
研磨后的所述芯片的厚度小于50μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：王允，杜牧涵，赵德益，赵志方，蒋骞苑，冯星星，李亚文，张光峰，申彦龙，张利明，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31