功率器件的金属焊盘结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件的金属焊盘结构的制作方法，包括：提供一表面具有铝焊盘的功率器件；于功率器件表面形成负性光刻胶，并通过曝光及显影工艺在负性光刻胶中形成显露铝焊盘的沉积窗口；于铝焊盘及负性光刻胶上沉积金属叠层，金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层；去除负性光刻胶层，同时将位于负性光刻胶层上的金属叠层去除。本发明专利技术在铝焊盘上沉积金属叠层，金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层，可以大大增加金属焊盘的厚度，从而使得在封装打线可以大大加粗，保证封装打线的强度。本发明专利技术可保证金属焊盘的导电性以及耐腐蚀，并提高铝焊盘与银层之间的应力的匹配性，提高金属焊盘的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
功率器件的金属焊盘结构的制作方法
本专利技术属于半导体设计制造领域，特别是涉及一种功率器件的金属焊盘结构的制作方法。
技术介绍
功率VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)和功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等器件在功率驱动市场的需求量巨大，在人们的日常生活、工农业生产、国防和航天科技中随处可见，但在竞争日益激烈和越来越重视生产成本的今天，功率器件生产厂家面临着制作高性能器件和减小生产成本的巨大压力。现有功率器件VDMOS和IGBT等器件的多晶栅由于较宽，使整个器件的栅面积大，从而栅电荷(Qg)很大，严重影响了器件的高频特性。特别是对于大电流功率器件而言，这一制约因素更加明显。如何减少栅电荷(Qg)，提高功率器件的开关工作频率成为功率器件制造中需要迫切解决的问题。并且，现有功率器件VDMOS和IGBT由于要满足一定的电流特性和一定的导通电阻，采用常规栅宽时，芯片面积要做得较大才能满足相应的电流特性。采用分立栅设计的功率器件，可以有效减小栅面积，降低栅电荷，在功率器件的设计中具有广泛的应用前景。专利
技术实现思路
鉴于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件的金属焊盘结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：/n1)提供一功率器件，所述功率器件表面具有铝焊盘；/n2)于所述功率器件表面形成负性光刻胶，并通过曝光及显影工艺在所述负性光刻胶中形成显露所述铝焊盘的沉积窗口；/n3)于所述铝焊盘及所述负性光刻胶上沉积金属叠层，所述金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层；/n4)去除所述负性光刻胶层，同时将位于所述负性光刻胶层上的所述金属叠层去除。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的金属焊盘结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
1)提供一功率器件，所述功率器件表面具有铝焊盘；
2)于所述功率器件表面形成负性光刻胶，并通过曝光及显影工艺在所述负性光刻胶中形成显露所述铝焊盘的沉积窗口；
3)于所述铝焊盘及所述负性光刻胶上沉积金属叠层，所述金属叠层包括依次层叠的钛层、镍层及银层；
4)去除所述负性光刻胶层，同时将位于所述负性光刻胶层上的所述金属叠层去除。


2.根据权利要求1所述的功率器件的金属焊盘结构的制作方法，其特征在于：步骤2)中，通过曝光及显影工艺形成的所述负性光刻胶呈倒梯形，所述沉积窗口呈正梯形。


3.根据权利要求1所述的功率器件的金属焊盘结构的制作方法，其特征在于：步骤3)采用蒸镀法于所述铝焊盘及所述负性光刻胶上沉积金属叠层。


4.根据权利要求1所述的功率器件的金属焊盘结构的制作方法，其特征在于：所述钛层的厚度介于1500埃～2500埃之间，所述镍层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，徐大鹏，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31