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本发明公开了一种瞬态抑制二极管及其制备方法，属于半导体过压防护技术领域，包括：步骤S1，提供至少三个芯片，对每一芯片的上表面分别进行植球，形成连接植球；步骤S2，对植球后的所有芯片进行组合预包封，形成一包封体；步骤S3，对包封体、所有芯片的...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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