引线框架的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种引线框架的制备方法，制备方法包括如下步骤：在铜箔两侧覆干膜；曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；在预制银脚图案区形成银镀层；剥除铜箔两侧干膜；再在铜箔两侧覆干膜；曝光显影蚀刻，将引线框架浸泡至第一液体内，以使引线框架带电；再将引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除悬空镀层，使铜箔上形成引线框架图案；剥除铜箔两侧干膜。这样，通过增加电镀图案面积使得镀银不全的问题的得到消除，之后将蚀刻后的引线框架对增加的悬空镀层进行退镀，从而让引线框架上的悬空镀层得到消除，使得引线框架的使用性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
引线框架的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种引线框架的制备方法
技术介绍
在现有技术中，引线框架通常是将卷式铜材进行电镀银后根据电镀图形，进行二次压膜、曝光、蚀刻后进行生产构造出的。可以理解的是，在现有技术进行生产的过程中需要对卷式铜材进行先电镀而后蚀刻，在此过程中需要先在基材上电镀银层图形，做好镀层图形后，再覆盖干膜做蚀刻图形，引线框架蚀刻图形需要用电镀图形靶标点与蚀刻曝光模具靶标二次对位。因曝光设备精度限制，在二次对位时理论上会有5um-20um的偏差，如二次对位出现偏差，会导致蚀刻后镀银层会出现银层悬空或镀银不全问题，使得引线框架的生产效率降低，从而影响引线框架后续使用的可靠性。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种引线框架的制备方法，所述制备方法能够退除悬空镀层。根据本专利技术实施例的引线框架的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在铜箔两侧覆干膜；曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n在铜箔两侧覆干膜；/n曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；/n在所述预制银脚图案区形成银镀层；/n剥除铜箔两侧干膜；/n再在铜箔两侧覆干膜；/n曝光显影蚀刻，形成引线框架的轮廓，由于所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状大小，会在蚀刻成形的铜箔上形成悬空镀层；/n将所述引线框架浸泡至第一液体内，以使所述引线框架带电；/n再将所述引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除所述悬空镀层；/n剥除铜箔两侧干膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种引线框架的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在铜箔两侧覆干膜；
曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；
在所述预制银脚图案区形成银镀层；
剥除铜箔两侧干膜；
再在铜箔两侧覆干膜；
曝光显影蚀刻，形成引线框架的轮廓，由于所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状大小，会在蚀刻成形的铜箔上形成悬空镀层；
将所述引线框架浸泡至第一液体内，以使所述引线框架带电；
再将所述引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除所述悬空镀层；
剥除铜箔两侧干膜。


2.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述预制银脚图案形状的外周比所述实际银脚图案的形状的外周大5um-20um。


3.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述悬空镀层的厚度为2.5um-3.2um，宽度为5um-20um。


4.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述引线框架蚀刻之后的宽度为70mm-80mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：熊绪新，彭磊，揭海欢，郑行彬，
申请(专利权)人：江西慧光微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36