电子设备制造技术

电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层以及插置在所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的间隔物层，其中所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n‑1个磁性层，它们被设置为使得该n个非磁性层中的每一个与该n‑1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，其中n‑1个磁性层和n个非磁性层可以被配置为与第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2019年12月13日提交的申请号为10-2019-0166562名称为“电子设备”的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
该专利文件涉及存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子设备或电器趋向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，对能够在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子设备或电器中储存信息的电子器件的需求增加，并且已经进行对于这种电子器件的研究和开发。这样的电子器件的示例包括能够利用根据被施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的电子器件，并且能够以各种配置来实施，例如，RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电式随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
该专利文件中公开的技术包括存储电路或存储器件及其在电子设备或系统中的应用，以及各种电子设备的实施例，其中，电子设备包括半导体存储器，所述半导体存储器能够改善可变电阻元件表现出不同电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：/n多层合成反铁磁结构，所述多层合成反铁磁结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层和间隔物层，所述间隔物层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，/n其中，所述间隔物层包括n个非磁性层和n-1个磁性层，所述n个非磁性层和所述n-1个磁性层被设置为使得所述n个非磁性层中的每一个与所述n-1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，/n其中，所述n-1个磁性层和所述n个非磁性层被配置为与所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。/n

【技术特征摘要】
20191213 KR 10-2019-01665621.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：
多层合成反铁磁结构，所述多层合成反铁磁结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层和间隔物层，所述间隔物层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，
其中，所述间隔物层包括n个非磁性层和n-1个磁性层，所述n个非磁性层和所述n-1个磁性层被设置为使得所述n个非磁性层中的每一个与所述n-1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，
其中，所述n-1个磁性层和所述n个非磁性层被配置为与所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n个非磁性层中的至少一个具有fcc(111)结构。


3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n个非磁性层中的至少一个包括Ru、Ir或Cr或其组合。


4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述n-1个磁性层中的至少一个具有fcc(111)结构。


5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层具有彼此反向平行的固定的磁化方向。


6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层包括单层或多层的结构，所述结构包含铁磁性材料。


7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层包括钉扎层，所述钉扎层具有固定的磁化方向，并且，所述第二铁磁性层包括移位抵消层，所述移位抵消层被构造为抵消或减小由所述钉扎层产生的杂散磁场。


8.根据权利要求1所述的电子设备，还包括中间层，所述中间层与所述间隔物层相邻并且具有bcc(001)结构。


9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述中间层包括Co、Fe、Ni、B或贵金属或者它们的组合。


10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括材料层，所述材料层插置在所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间，并且被构造为解决所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的晶格结构差异和晶格常数失配。


11.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个具有bcc(001)结构。


12.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，所述微处理器包括：
控制单元，所述控制单元包括从外部设备接收包括命令的信号的输入端口，并且执行以下至少一项：对所述命令进行提取、解码，或者控制来自所述微处理器的信号输入或向所述微处理器的信号输出；
运算单元，所述运算单元包括与所述控制单元耦接以接收已解码的命令的输入端口，从而基于所述已解码的命令来执行运算；和
存储单元，所述存储单元耦接到所述运算单元，并被配置为储存用于执行所述运算的数据、与执行所述运算的结果相对应的数据或与所述运算相关联的数据被储存的地址，其中，所述半导体存储器是所述微处理器中的所述存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰荣，金国天，金秀吉，文民锡，林钟久，郑星雄，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR