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电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层以及插置在所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的间隔物层，其中所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n‑1个磁...
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