【技术实现步骤摘要】
一种晶圆往复循环清洗设备
本专利技术涉及清洗设备
,尤其涉及一种晶圆往复循环清洗设备。
技术介绍
随着半导体器件集成度的不断提高,金属互连技术已广泛应用在超大规模集成电路中。金属互连结构的形成过程简述如下:首先,在晶圆的介质层上形成通孔;然后,沉积金属层,金属层填满通孔并覆盖在介质层的整个表面上;最后,采用化学机械研磨(CMP)将介质层表面的金属层研磨去除,仅保留通孔内的金属,从而形成金属互连结构。根据不同的工艺需求,金属可以选用铜、钨等。CMP工艺结束后,通常还要对介质层表面进行清洗,目的是将研磨过程中残留在介质层表面的颗粒清洗去除,防止这些颗粒结晶在介质层表面而难以去除。但是现有技术中的清洗设备每次只能对单个晶圆进行清洗,效率相对较慢,降低了企业的生产效率。
技术实现思路
专利技术目的:为了解决
技术介绍
中存在的不足,所以本专利技术公开了一种晶圆往复循环清洗设备。技术方案:一种晶圆往复循环清洗设备,包括清洗室、清洗组件、第一输送组件和第二输送组件,所述清洗室内部设置有上清洗室和下清洗室,所述上清洗室的侧部设置有第一进口,所述下清洗室的侧部设置有第二进口,所述第一输送组件包括两条第一伺服直线模组和第一输送网板,所述两条第一伺服直线模组从第一进口穿过并于上清洗室的相对两侧内壁设置,所述第一输送网板与两条第一伺服直线模组连接,且所述上清洗室的下部设置有第一接水箱,所述第二输送组件包括两条第二伺服直线模组和第二输送网板,所述两条第二伺服直线模组从第二进口穿过并于上清洗室的相 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆往复循环清洗设备,其特征在于,包括清洗室、清洗组件、第一输送组件和第二输送组件,所述清洗室内部设置有上清洗室和下清洗室,所述上清洗室的侧部设置有第一进口,所述下清洗室的侧部设置有第二进口,所述第一输送组件包括两条第一伺服直线模组和第一输送网板,所述两条第一伺服直线模组从第一进口穿过并于上清洗室的相对两侧内壁设置,所述第一输送网板与两条第一伺服直线模组连接,且所述上清洗室的下部设置有第一接水箱,所述第二输送组件包括两条第二伺服直线模组和第二输送网板,所述两条第二伺服直线模组从第二进口穿过并于上清洗室的相对两侧内壁设置,所述第二输送网板与两条第二伺服直线模组连接,且所述上清洗室的下部设置有第二接水箱,所述第一输送网板上方和第二输送网板的上方设置有数组定位柱,所述清洗组件包括第一高压清洗装置和第二高压清洗装置,所述第一高压清洗装置设置在上清洗室的顶部,所述第二高压清洗装置设置在下清洗室的顶部。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆往复循环清洗设备,其特征在于,包括清洗室、清洗组件、第一输送组件和第二输送组件,所述清洗室内部设置有上清洗室和下清洗室,所述上清洗室的侧部设置有第一进口,所述下清洗室的侧部设置有第二进口,所述第一输送组件包括两条第一伺服直线模组和第一输送网板,所述两条第一伺服直线模组从第一进口穿过并于上清洗室的相对两侧内壁设置,所述第一输送网板与两条第一伺服直线模组连接,且所述上清洗室的下部设置有第一接水箱,所述第二输送组件包括两条第二伺服直线模组和第二输送网板,所述两条第二伺服直线模组从第二进口穿过并于上清洗室的相对两侧内壁设置,所述第二输送网板与两条第二伺服直线模组连接,且所述上清洗室的下部设置有第二接水箱,所述第一输送网板上方和第二输送网板的上方设置有数组定位柱,所述清洗组件包括第一高压清洗装置和第二高压清洗装置,所述第一高压清洗装置设置在上清洗室的...
【专利技术属性】
技术研发人员:周志刚,王静强,徐福兴,黄锡钦,陈亮,
申请(专利权)人:昆山基侑电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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