一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，包括均热板、支撑柱以及工质流体：所述均热板包括上板体和下板体，所述上板体和下板体之间设有腔室，所述上板体底面和所述下板体顶面均设有若干槽道，所述上板体和下板体上的所述槽道均并排设置；所述支撑柱表面设有微米或/和纳米级空洞，所述上板体、下板体之间于所述腔室内设有若干所述支撑柱，若干所述支撑柱于所述腔室内均匀分布；所述腔室内封存有所述工质流体。该均热板结构可以解决现有陶瓷均热板均热性能不佳和不方便加工的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构及其制作方法
本专利技术涉及陶瓷均热板
，尤其涉及一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构及其制作方法。
技术介绍
随着第三代半导体的快速发展，功率半导体器件向着大功率、小型化和多功能等方向快速发展，但随着系统集成度不断提高，其功率密度也随之迅速增加，系统功能集成化导致热量分布不均。原有传统封装技术无法满足第三代半导体高温、高频等特性的要求。陶瓷基板作为半导体封装基板，是平衡温度和散热的理想部件。陶瓷基板也可为电子电路提供附着，其电子电路的散热亦可通过陶瓷基板进行散热。均热板为高效换热技术，能够充分利用相变所带来的极高换热系数，能够将封装器件产生的热量快速传递出去，是解决半导体封装和电子电路散热问题的有效途径。目前生产和研究中的均热板或热管大部分是金属材质，如铜、不锈钢、铝等材质。金属均热板或热管由其本身导电，无法直接用于半导体散热和电路板的散热，难以发挥均热板的散热优势。传统的功率半导体模块，芯片功率损耗产生的大多数热量是依次通过芯片焊层、陶瓷衬板、衬板焊层、基板、TIM(ThermalI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，包括：/n均热板，所述均热板包括上板体和下板体，所述上板体和下板体之间设有腔室，所述上板体底面和所述下板体顶面均设有若干槽道，所述上板体和下板体上的所述槽道均并排设置；/n支撑柱，所述支撑柱表面设有微米或/和纳米级空洞，所述上板体与下板体之间于所述腔室内夹设有若干所述支撑柱，若干所述支撑柱于所述腔室内均匀分布；以及/n工质流体，所述腔室内封存有所述工质流体。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，包括：
均热板，所述均热板包括上板体和下板体，所述上板体和下板体之间设有腔室，所述上板体底面和所述下板体顶面均设有若干槽道，所述上板体和下板体上的所述槽道均并排设置；
支撑柱，所述支撑柱表面设有微米或/和纳米级空洞，所述上板体与下板体之间于所述腔室内夹设有若干所述支撑柱，若干所述支撑柱于所述腔室内均匀分布；以及
工质流体，所述腔室内封存有所述工质流体。


2.根据权利要求1所述的基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，所述均热板根据所需传热形状设计为四边形、圆形或梯形。


3.根据权利要求1所述的基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，所述均热板槽道横截面形状为梯形或V型或倒Ω型。


4.根据权利要求1所述的基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，所述上板体和下板体上的所述槽道为直槽或弯槽，所述上板体和下板体上的所述槽道等间隔分布或渐变分布。


5.根据权利要求1所述的基于流延法的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，所述支撑柱为圆柱体或多棱柱体。


6.根据权利要求1所述的一体化陶瓷均热板结构，其特征在于，所述工质流体为去离子水、氨、甲醇、氟利昂、丙酮中的一种或其...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤勇，袁雪鹏，李宗涛，余彬海，余树东，颜才满，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44