【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸屏等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
技术介绍
以液晶显示装置及发光显示装置为代表的平板显示器广泛地被用作显示装置。作为构成这些显示装置的晶体管的半导体材料主要使用硅,但是,近年来,还开发出将使用金属氧化物的晶体管用于显示装置的像素的技术。专利文献1及专利文献2公开了将作为半导体材料使用金属氧化物的晶体管用作显示装置的像素的开关元件等的技术。另外,专利文献3公开了一种具有将关态电流(off-statecurrent)极低的晶体管用于存储单元的结构的存储装置。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2007-123861号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2007-96055号公报[专利文献3]日本专利申请公开第2011-119674号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可见光透过性高的显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种开口率高的显示装置。另外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗低的显示装置。另外,本专利技术的 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置,包括:/n像素,/n其中,所述像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、像素电极、包含液晶材料的层及公共电极,/n所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的沟道形成区域上,/n所述第一导电层位于所述第一绝缘层上,/n所述第二绝缘层位于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一绝缘层及所述第一导电层上,/n所述像素电极位于所述第二绝缘层上,/n所述包含液晶材料的层位于所述像素电极上,/n所述公共电极位于所述包含液晶材料的层上,/n所述公共电极具有隔着所述包含液晶材料的层及所述像素电极重叠于所述第一导电层的区域,/n所述像素还包括第一连接部和第二连接部,/n在所述第一连接部中,所述第一导电层与所述第一晶体管电连接,/n在所述第二连接部中,所述像素电极与所述第二晶体管电连接,/n并且,所述第一导电层、所述像素电极及所述公共电极都具有使可见光透过的功能。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181102 JP 2018-2072251.一种显示装置,包括:
像素,
其中,所述像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、像素电极、包含液晶材料的层及公共电极,
所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的沟道形成区域上,
所述第一导电层位于所述第一绝缘层上,
所述第二绝缘层位于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一绝缘层及所述第一导电层上,
所述像素电极位于所述第二绝缘层上,
所述包含液晶材料的层位于所述像素电极上,
所述公共电极位于所述包含液晶材料的层上,
所述公共电极具有隔着所述包含液晶材料的层及所述像素电极重叠于所述第一导电层的区域,
所述像素还包括第一连接部和第二连接部,
在所述第一连接部中,所述第一导电层与所述第一晶体管电连接,
在所述第二连接部中,所述像素电极与所述第二晶体管电连接,
并且,所述第一导电层、所述像素电极及所述公共电极都具有使可见光透过的功能。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述像素还包括第二导电层,
所述第一导电层与所述第二导电层位于同一表面上,
所述第一导电层与所述第二导电层彼此电绝缘,
并且所述公共电极具有隔着所述包含液晶材料的层及所述像素电极重叠于所述第二导电层的区域。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中与在所述像素电极与所述公共电极之间施加有电压的状态相比,在所述像素电极与所述公共电极之间没有施加电压的状态下,所述包含液晶材料的层的可见光透过率更高。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,
其中所述包含液晶材料的层具有高分子材料,
所述高分子材料是多官能团单体与单官能团单体的共聚物,
所述多官能团单体具有苯甲酸苯基骨架,
并且所述单官能团单体具有环己苯骨架。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其中在所述第一连接部中,所述第一晶体管具有使可见光透过的功能。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其中在所述第二连接部中,所述第二晶体管具有使可见光透过的功能。...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,楠纮慈,川岛进,久保田大介,石谷哲二,山下晃央,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。