一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物。本申请的光提取层具有高折射率，能够提升有机电致发光器件的发光效率。本申请还提供了一种包含本申请有机电致发光器件的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置
本申请涉及有机发光显示
，特别是涉及一种有机电致发光器件及包含该器件的显示装置。
技术介绍
有机电致发光器件是一种多层有机薄膜结构，其中发光层位于阴阳极之间。通电后发光层发出的光从透明电极一侧透射出来，光由于在各个膜层之间发生全反射等波导效应而损失。在透明电极上增加一层高折射率的光提取层，可以大幅提高出光效率。光提取层可以是无机化合物，也可以是有机化合物。无机化合物的特点在于折射率高，有利光提取，但是镀膜温度很高(>1000度)，这种镀膜会对有机元器件造成损坏。有机物薄膜蒸镀温度低，工艺上比无机化合物具有更大优势。有机电致发光二极管(OLED)元件基本都使用能够提升OLED光取出效率的有机光提取材料。折射率是光提取材料最重要的指标，通常光提取层的折射率越高，则从电极到光提取层出光效率越高，OLED的发光效率越高。目前主要用于OLED光提取层的材料是日本保土谷的芳族胺化合物(CN103828485A)。该类化合物(例如化合物1-1和1-2)的折射率依然有待提高。
技术实现思路
鉴于现有技术的上述问题，本申请的目的在于提供一种有机电致发光器件，其具有高的发光效率。本申请第一方面提供了一种有机电致发光器件，包含光提取层，所述光提取层包括通式(I)的化合物：其中，Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C50的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的杂芳基；L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C50的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的亚杂芳基中的至少一种；所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S、N；所述Ra各自独立地选自氢、氘、氟、氰基、C1-C6的烷基、C6-C18的芳基、C2-C18的杂芳基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。本申请第二方面提供了一种显示装置，其包含本申请所提供的有机电致发光器件。本申请提供的有机电致发光器件，包括高折射率的光提取层，利用光提取层折射率高的优点，更加有效地促进光取出，从而提升了有机电致发光器件的发光效率。本申请提供的显示装置具有优良的显示效果。当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一种实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施方式。图1为本申请一种实施方式的有机电致发光器件示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域普通技术人员基于本申请中的实施例所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请第一方面提供了一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物：其中，Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C50的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的杂芳基；L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C50的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的亚杂芳基中的至少一种；所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S、N；所述Ra各自独立地选自氢、氘、氟、氰基、C1-C6的烷基、C6-C18的芳基、C2-C18的杂芳基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。优选地，Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C30的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C30的杂芳基；优选地，L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C30的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C30的亚杂芳基中的至少一种。更优选地，Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C18的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C18的杂芳基；更优选地，L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C18的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C18的亚杂芳基中的至少一种。再优选地，所述Ar1选自以下基团：R1、R2和R3各自独立地选自C1-C6的烷基、C6-C12的芳基或C2-C12的杂芳基；再优选地，所述L1、L2和L3各自独立地选自以下基团：例如，所述Ar1选自以下基团：R1、R2和R3各自独立地选自C1-C6的烷基、C6-C12的芳基或C3-C12的杂芳基；例如，所述L1、L2和L3各自独立地选自以下基团：例如，所述通式(I)的化合物可以选自以下化合物：在本申请中，对于有机电致发光器件的种类和结构没有特别限制，可以为本领域公知的各种类型和结构的有机电致发光器件。本申请的有机电致发光器件，可以是顶部发光结构的发光器件，可以举出在基板上依次包含阳极电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、透明或半透明阴极以及光提取层结构。本申请的有机电致发光器件，可以是底部发光结构的发光器件，可以举出在基板上依次包含光提取层、透明或半透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极电极。本申请的有机电致发光器件，还可以是双侧发光结构的发光器件，可以举出在基板上依次包含光提取层、透明或半透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、透明或半透明阴极以及光提取层。在本申请的一些实施方式中，还可以在空穴传输层和发光层之间设置有电子阻挡层，在发光层与电子传输层之间设置有空穴阻挡层，本领域技术人员可以根据实际情况增加或省略上述各层，只要满足本申请目的即可。图1示出了本申请一种实施方式的有机电致发光器件示意图，其中，从下到上，依次设置基板1、阳极电极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极电极8和光提取层9。可以理解，图1仅示意性地示出了一种典型的有机电致发光器件的结构，本申请并不限于这种结构。为了方便起见，以下参照图1对本申请的有机电致发光器件进行说明，但这并不意味着对本申请保护范围的任何限定。在本申请中，所述基板1没有特别限制，可以使用现有技术中有机电致发光器件所用的常规基板，例如，玻璃、聚合物材料、带有TFT元器件的玻璃和聚合物材料等。在本申请中，所述阳极电极2没有特别限制，可以选自现有技术中已知的阳极电极。例如，金属、合金或导电化合物具有高功函数(4eV或大于4eV)。其中，金属可以为Au、Ag等金属。导电透明材料可以选自CuI、氧化铟锡(ITO)、SnO2和ZnO等材料，或者使用可以形成透明导电膜的非晶形材料如IDIXO(In2O3-ZnO)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物：/n

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其包含光提取层，所述光提取层包含通式(I)的化合物：



其中，
Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C50的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的杂芳基；
L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C50的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C50的亚杂芳基中的至少一种；
所述杂芳基和所述亚杂芳基上的杂原子各自独立地选自O、S、N；
所述Ra各自独立地选自氢、氘、氟、氰基、C1-C6的烷基、C6-C18的芳基、C2-C18的杂芳基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，
Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C30的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C30的杂芳基；
L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C30的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C30的亚杂芳基中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，
Ar1选自未取代或被Ra取代的C6-C18的芳基、未取代或被Ra取代的C2-C18的杂芳基；
L1、L2和L3各自独立地选自单键、未取代或被Ra取代的C6-C18的亚芳基、未取代或被Ra取代的C2-C18的亚杂芳基中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述Ar...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃，丰佩川，孙志武，邢其锋，陈义丽，邱创弘，杨阳，
申请(专利权)人：烟台显华光电材料研究院有限公司，烟台海森大数据有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37