一类用于制备有机光电器件的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一类用于制备有机光电器件的化合物及其应用，其结构式如下：

【技术实现步骤摘要】
一类用于制备有机光电器件的化合物及其应用
本专利技术属于有机光电材料
，尤其涉及一类用于制备有机光电器件的化合物及其应用。
技术介绍
有机光电子学是由有机化学、物理学、信息电子科学和材料科学等诸多学科相互交叉而形成的一个新兴研究领域，其核心物理原件是有机分子电子器件，该器件是利用能完成信息和能量的检测、转换、传输、存储与处理等功能的有机分子材料，在分子水平上设计和制作的具有特定功能的超微型器件。特别是以有机电致发光器件(OLED)、有机光伏器件(OPV)和有机场效应晶体管(OTFT)为代表的有机光电功能材料和器件在新型平板显示、固态照明、高密度信息传输与存储、新能源和光化学等领域显现了广阔的应用前景。其中，OLED即OrganicLightEmittingDiode的英文缩写，译作有机发光二极管，是一门相当年轻的显示技术。OLED目前普遍的基本结构，是利用一薄而透明、且具有导电性质的铟锡氧化物(ITO)为正极，与另一金属阴极以如同三明治般的架构将有机材料层包夹其中，有机材料层包括电洞传输层(或称空穴传输层，HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当通入适当的电流，此时注入正极的电洞与阴极来的电荷在发光层结合时，即可激发有机材料产生光线。OLED主要采用多层结构器件，即在发光层两侧分别插入电子传输层、电子注入层和空穴传输层、空穴阻挡层等。阴阳极之间的功能层材料收到电极的保护，而电极通常需要包覆层进行保护，包覆层覆盖在电极上，可以阻隔外界环境对电极的破坏，比如水、氧、光、热等因素，从而提高器件的使用寿命。OLED作为发光器件，可以分为顶部发光器件和底部发光器件。在器件中，增加包覆层能够明显保护电极，但同时也会影响器件的出光率。所以包覆层需要有合适的折射率和透光率，以减少光损失，提高出光率。包覆层在器件外侧，同时也是容易遭到环境影响，发生老化现象，提高包覆层的物理化学稳定性能明显提高器件的耐用性。与OLED器件类似，有机电子器件都涉及到器件的保护问题，所以有机电子器件技术要实现大规模应用，不仅需要在材料、设计和制备工艺等方面进行改进，更需要对材料进行创新，以提高功效、增加稳定性和降低成本。
技术实现思路
本专利技术针对上述现有技术存在的不足，提供一类用于制备有机光电器件的化合物及其应用。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一类用于制备有机光电器件的化合物，其结构式如下：其中，X为O、S或NR1；Y1、Y2各自独立地为O、S、NR2或CR3R4；Z9、Z10、Z11、Z12、Z13、Z14、Z15、Z16、Z17、Z18、Z19、Z20、Z21、Z22、Z23、Z24各自独立地为N或CR5；其中，R1、R2、R3、R4、R5各自独立地为氢、氘、卤素、具有1-50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3-50个碳原子的环烷基、具有2-50个碳原子的烯基或炔基、具有6-50个芳族环原子的芳族环系或具有5-50个芳族环原子的杂芳族环系；A环、B环各自独立地为取代或未取代的芳族环系、或取代或未取代的杂芳族环系；L1、L2各自独立地为取代或未取代的芳族环系、取代或未取代的杂芳族环系或含有羰基的不饱和环；m≥0，且m为整数；n≥0，且n为整数；p≥0，且p为整数；q≥0，且q为整数。进一步，A环、B环各自独立地为取代或未取代的芳族单环、取代或未取代的杂芳族单环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合芳族环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合杂芳族环、或取代或未取代的由芳环和杂芳环构成的多环的任意一种。更进一步，芳族单环结构如苯等；杂芳族单环如呋喃、吡咯、噻吩、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、咪唑等；稠合芳族环如萘、蒽、菲、三亚苯、等；两个或三个环结构的稠合杂芳族环如苯并呋喃、苯并吡咯、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、菲罗琳、菲啶等；但不限于这些结构。进一步，L1、L2各自独立地为取代或未取代的芳族单环、取代或未取代的杂芳族单环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合芳族环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合杂芳族环、或取代或未取代的由芳环和杂芳环构成的多环、或取代或未取代的含有羰基的多环中的任意一种。更进一步，芳族单环结构如苯等；杂芳族单环如呋喃、吡咯、噻吩、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、咪唑等；稠合芳族环包含萘、蒽、菲、三亚苯、等；两个或三个环结构的稠合杂芳族环如苯并呋喃、苯并吡咯、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、菲罗琳、菲啶等；含有羰基的多环如环酮、苯并[c]苯并吡喃-6-酮、菲啶酮等；但不限于这些结构。进一步，Y1和/或Y2分别独立地为CR3R4，R3和R4连接成环状结构。更进一步，R3和R4两个基团通过化学键或者其他连接基团彼此连接构成环状结构。更进一步，所述连接基团为-O-、-S-、-NR01-、-CR02R03-、-C＝O-、-SiR04R05-、-P(＝O)m-、-P(＝S)n-、-P(＝Se)o-或-S(＝O)p-；其中，m、n、o、p各自独立地为0-2的整数。其中，R01、R02、R03、R04、R05各自独立地为氢、氘、具有1-50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3-50个碳原子的环烷基、具有2-50个碳原子的烯基或炔基、具有6-50个芳族环原子的芳族环系或具有5-50个芳族环原子的杂芳族环系。在本专利技术上下文中的芳族环系为不包含任何杂原子作为芳族环原子的芳香族环。因此，在本专利技术上下文中的芳族环系应被理解为体系，不必仅含有芳基基团，而是其中多个芳基基团还可以通过单键或通过非芳香族单元(例如，一个或多个任意选自被取代的C、Si、N、O或S原子)键合。在这种情况下，以体系中非H原子的总数计，所述非芳族单元含有优选小于10％的非H原子。例如，和其中两个或两个以上的芳基基团通过直链或环状的烷基、烯基或炔基基团或通过甲硅烷基基团连接的体系一样，诸如，9，9′-螺二芴、9，9′-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚和茋的体系、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的芳硫基、取代或未取代的芳醚基、取代或未取代的二烷基芳基甲硅烷基、取代或未取代的三芳基甲硅烷基、取代或未取代的芴等等，同样被认为是在本专利技术上下文中的芳族环系。此外，由2个或2个以上的芳基基团通过单键彼此连接的体系也被认为是在本专利技术上下文中的芳族环系，例如，联苯和三联苯的体系。所述杂芳族环系为芳族环原子中至少一个是杂原子的芳香族环。杂原子优选为N、O和/或S。杂芳族环系符合上述芳族环系的定义，但至少一个杂原子作为芳族环原子之一。以这种方式，其不同于在本申请定义的意义上的芳族环系，根据该定义，芳族环系不能含有任何杂原子作为芳族环原子。芳基基团为含有6-50个芳族环原子，且都不是杂原子。在本专利技术上下文中的芳基基团被理解为简单的芳族环，即苯或稠合芳族多环，例如萘、蒽或菲。在本申请上下文中的稠合芳族多环由彼此稠合的2个或2个以上简单芳族环组成。环之间稠合在这里被理解为所述环彼此共用至少一个边。杂芳基基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类用于制备有机光电器件的化合物，其特征在于，其结构式如下：/n

【技术特征摘要】
1.一类用于制备有机光电器件的化合物，其特征在于，其结构式如下：



其中，X为O、S或NR1；
Y1、Y2各自独立地为O、S、NR2或CR3R4；
Z9、Z10、Z11、Z12、Z13、Z14、Z15、Z16、Z17、Z18、Z19、Z20、Z21、Z22、Z23、Z24各自独立地为N或CR5；
其中，R1、R2、R3、R4、R5各自独立地为氢、氘、卤素、具有1-50个碳原子的烷基或烷氧基、具有3-50个碳原子的环烷基、具有2-50个碳原子的烯基或炔基、具有6-50个芳族环原子的芳族环系或具有5-50个芳族环原子的杂芳族环系；
A环、B环各自独立地为取代或未取代的芳族环系、或取代或未取代的杂芳族环系；
L1、L2各自独立地为取代或未取代的芳族环系、取代或未取代的杂芳族环系、或取代或未取代的含有羰基的不饱和环；
m≥0，且m为整数；n≥0，且n为整数；p≥0，且p为整数；q≥0，且q为整数。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，A环、B环各自独立地为取代或未取代的芳族单环、取代或未取代的杂芳族单环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合芳族环、取代或未取代的含两个或三个环结构的稠合杂芳族环、或取代或未取代的由芳环和杂芳环构成的多环的任意一种。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，L1、L2各自独立地为取代或未取代的芳族单环、取代或未取代的杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃，丰佩川，胡灵峰，孙伟，陈义丽，单宏斌，魏鹏，
申请(专利权)人：烟台显华光电材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37