一种条形化Micro LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，P型电极层将处于同一横列或同一数列的P型GaN层连接。同时本发明专利技术还公开了该芯片的制作方法。采用本发明专利技术，同一横列或同一数列的发光单元会共同点亮，在封装工艺技术上，只需在P型电极层的两端进行焊接即可，大大降低了封装难度。

【技术实现步骤摘要】
一种条形化MicroLED芯片及其制作方法
本专利技术涉及MicroLED芯片
，特别是涉及一种条形化MicroLED芯片及其制作方法。
技术介绍
MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将发光单元距离从毫米级降低至微米级。MicroLED芯片的封装过程涉及到巨量转移技术，现在的MicroLED芯片一般采用共N电极的工艺，P电极单独驱动以控制各个发光单元的点亮。由于发光单元是单独驱动控制的，因此在巨量转移过程中需确保每个发光单元的封装效果，导致封装难度增大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能降低MicroLED芯片封装难度的条形化MicroLED芯片及其制作方法。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种条形化MicroLED芯片，包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种条形化Micro LED芯片，其特征在于：包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述P型电极层将处于同一横列或同一数列的所述P型GaN层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种条形化MicroLED芯片，其特征在于：包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述P型电极层将处于同一横列或同一数列的所述P型GaN层连接。


2.根据权利要求1所述的条形化MicroLED芯片，其特征在于：所述隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔。


3.根据权利要求2所述的条形化MicroLED芯片，其特征在于：所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平。


4.根据权利要求2所述的条形化MicroLED芯片，其特征在于：所述发光单元上设有保护层，且所述保护层上设有裸露所述P型电极层的导电通道，所述内置N型电极层由所述保护层包覆。


5.根据权利要求4所述的条形化MicroLED芯片，其特征在于：所述P型电极层通过所述导电通道凸出...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪安，陈慧秋，武杰，易翰翔，李玉珠，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44