像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器技术

本发明专利技术公开一种像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器，其中该像素结构包括原始发光二极管管芯、修补用发光二极管管芯和延伸导体。原始发光二极管管芯包括第一外延层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置于第一外延层的相对侧。修补用发光二极管管芯与原始发光二极管管芯为同色光，且修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，第三电极和第四电极设置于第二外延层的相同侧。延伸导体具有第一部分、第二部分以及切断区域。第一部分电连接原始发光二极管管芯的第二电极。第二部分电连接修补用发光二极管管芯的第三电极。切断区域位于第一部分或位于第一部分和第二部分之间。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器
本专利技术涉及一种像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器，特别是涉及一种具有发光二极管管芯的像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器。
技术介绍
在相同发光面积下，垂直式发光二极管管芯相较水平式发光二极管管芯可具备较小管芯尺寸，故于显示器应用上有助于像素尺寸的微缩进而提供更佳显示效果。然而，垂直式发光二极管管芯有检测与修补的困难，目前常见的做法是于管芯转移阶段即将2倍(或)以上数量的管芯设置在每一像素中，以提高整体显示器像素良率表现。然此类做法需消耗更多数量的发光二极管管芯，且存在可靠度疑虑。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器。使用所述像素结构及其制造方法，能够以较简单有效的方式进行坏点的修补。并且，具有此种像素结构的显示器仍可保有所希望的显示效果。根据实施例的一种像素结构包括原始发光二极管管芯、修补用发光二极管管芯和延伸导体。原始发光二极管管芯包括第一外延层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置于第一外延层的相对侧。修补用发光二极管管芯与原始发光二极管管芯为同色光，且修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，第三电极和第四电极设置于第二外延层的相同侧。延伸导体具有第一部分和第二部分，第一部分电连接原始发光二极管管芯的第二电极，第二部分电连接修补用发光二极管管芯的第三电极。延伸导体更具有切断区域。切断区域位于第一部分或位于第一部分和第二部分之间。<br>根据实施例的一种显示器包括多个像素结构。像素结构配置成阵列。所述像素结构中至少一者包括原始发光二极管管芯、修补用发光二极管管芯和延伸导体。原始发光二极管管芯包括第一外延层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置于第一外延层的相对侧。修补用发光二极管管芯与原始发光二极管管芯为同色光，且修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，第三电极和第四电极设置于第二外延层的相同侧。延伸导体具有第一部分和第二部分，第一部分电连接原始发光二极管管芯的第二电极，第二部分电连接修补用发光二极管管芯的第三电极。延伸导体更具有切断区域。切断区域位于第一部分或位于第一部分和第二部分之间。根据实施例的一种像素结构的制造方法包括以下步骤。首先，提供原始发光二极管管芯。原始发光二极管管芯包括第一外延层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置于第一外延层的相对侧，第二电极至少部分地曝露在外。接着，形成延伸导体。延伸导体具有第一部分和第二部分，第一部分电连接原始发光二极管管芯的第二电极。之后，检测原始发光二极管管芯是否正常。在检测出原始发光二极管管芯异常的情况下，设置修补用发光二极管管芯以及切断延伸导体对应的第一部分的电性连通路径。修补用发光二极管管芯与原始发光二极管管芯为同色光，且修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，第三电极和第四电极设置于第二外延层的相同侧。设置修补用发光二极管管芯的步骤包括将修补用发光二极管管芯的第三电极电连接延伸导体的第二部分。附图说明图1A～图1B为一例示性像素结构的示意图；图2A～图2F为图1A～图1B的像素结构的制造方法的各阶段的示意图；图3A～图3B为另一例示性像素结构的示意图；图4A～图4F为图3A～图3B的像素结构的制造方法的各阶段的示意图；图5A～图5B为又一例示性像素结构的制造方法的各阶段的示意图；图6为一例示性显示器的示意图。符号说明1：显示器；10、20、30：像素结构；100、200、300：基板；110：图案化导电层；112：第一图案；114：第二图案；120、320A、320B：原始发光二极管管芯；121：第一外延层；122：第一电极；123：第二电极；124：第一发光层；125：第一半导体层；126：第二半导体层；130、230、330：介电保护层；132、232：开口；140：修补用发光二极管管芯；141：第二外延层；142：第三电极；143：第四电极；144：切断区域；145：第三半导体层；146：第四半导体层；147：导孔；150、250、350：延伸导体；152、252、352：第一部分；154、254、354：第二部分；156、256、356：切断区域；160：激光切割；234：穿孔；270：连接导体；272：接线部分；274：导孔部分；A1、A2：发光区域；P、P1、P2：像素结构；R11、R21、R31：原始管芯区；R12、R22、R32：修补管芯区。具体实施方式以下将配合所附附图对于本专利技术的实施例进行详细说明。可以理解，所附附图是用于描述和解释目的，而非限制目的。为了清楚起见，元件可能并未依照实际比例加以绘示。此外，可能在部分附图省略一些元件和/或元件符号。说明书和附图中，相同或相似的元件符号用于指示相同或相似的元件。当叙述一元件「设置于」、「连接」…另一元件时，在未特别限制的情况下，所述元件可以是「直接设置于」、「直接连接」…另一元件，也可以存在中介元件。能够预期，一实施例中的元素和特征，在可行的情况下，能纳入至另一实施例中并带来益处，而未对此作进一步的阐述。请参照图1A～图1B，其绘示一根据实施例的例示性像素结构10，其中图1A是上视图，图1B是沿着图1A中B-B’线的剖视图。像素结构10包括原始发光二极管管芯120、修补用发光二极管管芯140和延伸导体150。原始发光二极管管芯120包括第一外延层121、第一电极122和第二电极123，第一电极122和第二电极123设置于第一外延层121的相对侧。修补用发光二极管管芯140包括第二外延层141、第三电极142和第四电极143，第三电极142和第四电极143设置于第二外延层141的相同侧。延伸导体150具有第一部分152和第二部分154，第一部分152电连接原始发光二极管管芯120的第二电极123，第二部分154电连接修补用发光二极管管芯140的第三电极142。对于本专利技术的结构和方法而言，一元件/元件部分可以但不限于通过直接接触来电连接另一元件/元件部分。更具体来说，如图1A～图1B所示，在一些实施例中，像素结构10可更包括基板100、图案化导电层110和介电保护层130。图案化导电层110设置于基板100上，并具有第一图案112和第二图案114。原始发光二极管管芯120以第一电极122设置于图案化导电层110的第一图案112上。介电保护层130包覆原始发光二极管管芯120，并具有开口132，开口132曝露出第二电极123。延伸导体150至少部分地设置于介电保护层130上，延伸导体150的第一部分152通过开口13本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/n原始发光二极管管芯，包括第一外延层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一外延层的相对侧；/n修补用发光二极管管芯，与所述原始发光二极管管芯为同色光，其中所述修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极设置于所述第二外延层的相同侧；以及/n延伸导体，具有第一部分和第二部分，所述第一部分电连接所述原始发光二极管管芯的所述第二电极，所述第二部分电连接所述修补用发光二极管管芯的所述第三电极，/n其中所述延伸导体还具有切断区域，所述切断区域位于所述第一部分或位于所述第一部分和所述第二部分之间。/n

【技术特征摘要】
20191211 TW 1081452711.一种像素结构，其特征在于，包括：
原始发光二极管管芯，包括第一外延层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一外延层的相对侧；
修补用发光二极管管芯，与所述原始发光二极管管芯为同色光，其中所述修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极设置于所述第二外延层的相同侧；以及
延伸导体，具有第一部分和第二部分，所述第一部分电连接所述原始发光二极管管芯的所述第二电极，所述第二部分电连接所述修补用发光二极管管芯的所述第三电极，
其中所述延伸导体还具有切断区域，所述切断区域位于所述第一部分或位于所述第一部分和所述第二部分之间。


2.根据权利要求1所述的像素结构，还包括：
基板；
图案化导电层，设置于所述基板上，并具有第一图案和第二图案，其中所述原始发光二极管管芯以所述第一电极设置于所述图案化导电层的所述第一图案上；以及
介电保护层，包覆所述原始发光二极管管芯，并具有开口，所述开口曝露出所述第二电极；
其中所述延伸导体至少部分地设置于所述介电保护层上，所述延伸导体的所述第一部分通过所述开口连接所述原始发光二极管管芯的所述第二电极；
其中所述修补用发光二极管管芯的所述第三电极设置于所述延伸导体的所述第二部分上，所述第四电极连接所述图案化导电层的所述第二图案。


3.根据权利要求2所述的像素结构，其中所述介电保护层设置于所述原始发光二极管管芯上。


4.根据权利要求3所述的像素结构，其中所述延伸导体的所述第二部分设置于所述基板上，所述修补用发光二极管管芯通过所述延伸导体的所述第二部分和所述图案化导电层的所述第二图案设置于所述基板上。


5.根据权利要求2所述的像素结构，其中所述介电保护层的顶面高过所述原始发光二极管管芯的顶面，且所述修补用发光二极管管芯位于所述介电保护层的所述顶面上。


6.根据权利要求2所述的像素结构，其中所述介电保护层延伸于所述基板上，并覆盖所述基板、所述图案化导电层和所述原始发光二极管管芯。


7.根据权利要求6所述的像素结构，其中所述延伸导体的所述第二部分水平地设置于所述介电保护层上，且所述像素结构还包括：
连接导体，具有接线部分和导孔部分，所述接线部分设置于所述介电保护层上，所述导孔部分穿过所述介电保护层并连接所述图案化导电层的所述第二图案；
其中所述修补用发光二极管管芯通过所述延伸导体的所述第二部分和所述连接导体的所述接线部分设置于所述介电保护层上。


8.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述原始发光二极管管芯的数目为多个，且所述延伸导体的所述第一部分电连接所述多个原始发光二极管管芯的所述第二电极。


9.根据权利要求1所述的像素结构，其中所述原始发光二极管管芯和所述修补用发光二极管管芯具有相同面积的发光区域。


10.一种显示器，其特征在于，包括：
多个像素结构，配置成阵列，其中所述像素结构中至少一者包括：
原始发光二极管管芯，包括第一外延层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一外延层的相对侧；
修补用发光二极管管芯，与所述原始发光二极管管芯为同色光，其中所述修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极设置于所述第二外延层的相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明宪，蔡曜骏，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71