铝电解电容器低压化成箔生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了铝电解电容器低压化成箔生产工艺，包括以下步骤：1)前处理：将低压铝箔在氢氧化钠溶液中碱洗，然后，将碱洗后的铝箔在γ‑丁内脂和顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗；2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于己二酸铵、柠檬酸和柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，化成所需电压后恒压3‑8分钟，然后用纯水漂洗；该铝电解电容器低压化成箔生产工艺，生产的产品杂质少，氧化膜中氧化铝晶体之间结构致密，缺陷少、漏电流低，能够有效减轻低压化成箔波浪边。

【技术实现步骤摘要】
铝电解电容器低压化成箔生产工艺
本专利技术涉及铝箔生产
，具体为铝电解电容器低压化成箔生产工艺。
技术介绍
电解电容器被广泛应用于电子等许多相关行业，现在，科技进步和工业的发展，对电解电容器在工频、低阻抗、长寿命等方面提出更高的要求，随着电子产业的发展，电子产品越来越小型化、便携化，因此各种电子元器件趋于微小型方向发展，电容器也不例外，铝电解电容器的体积主要受到阳极箔(即化成箔)的静电容量的制约，阳极箔的静电容量越高，电容器的体积就可以做得越小，阳极箔的静电容量与阳极氧化膜的介电常数、比表面积成正比，与氧化膜的厚度成反比，氧化膜的厚度取决于电容器的工作电压，根据整机的需要而定，为了提高阳极箔的静电容量，通常是采用提高电极箔的比表面积和氧化膜的介电常数的方法，腐蚀工艺技术即是提高比表面积的方法，在化成工艺技术处理后，电极箔上生成主要成分为氧化铝的氧化膜，这种工艺所制造出来的氧化铝膜，其介电常数为8-10，此时电极箔的静电容量、工作电压都已经确定；现有的铝电解电容器低压化成箔生产工艺所生产的产品杂质多，化成箔波浪边严重。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供铝电解电容器低压化成箔生产工艺，生产的产品杂质少，氧化膜中氧化铝晶体之间结构致密，缺陷少、漏电流低，能够有效减轻低压化成箔波浪边，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：铝电解电容器低压化成箔生产工艺，包括以下步骤：1)前处理：将低压铝箔在氢氧化钠溶液中碱洗，然后，将碱洗后的铝箔在γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗；2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于己二酸铵、柠檬酸和柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，化成所需电压后恒压3-8分钟，然后用纯水漂洗；3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为1-10％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，得到产品。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤1)中，氢氧化钠溶液的浓度为1-10％，碱洗时间为2-5分钟。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤1)中，γ-丁内脂的浓度为15-30％，顺丁烯二酸的浓度为3-6％，浸渍处理的时间为1-4分钟。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤1)中，纯水的温度为95-100℃，漂洗时间为9-13分钟。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤2)中，己二酸铵的浓度为1-2％，柠檬酸的浓度为1-2％，柠檬酸三铵的浓度为1-1.5％。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤2)中，电流密度为1-50mA/㎝2，化成处理的溶液温度为70-90℃。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤3)中，纯水的温度为100-110℃，纯水漂洗的时间为3-5分钟。作为本专利技术的一种优选技术方案，在步骤4)中，干燥温度为200-400℃，干燥时间为5-10分钟与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本铝电解电容器低压化成箔生产工艺，其产品杂质少，氧化膜中氧化铝晶体之间结构致密，缺陷少、漏电流低，能够有效减轻低压化成箔波浪边。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一铝电解电容器低压化成箔生产工艺，包括以下步骤：1)前处理：将低压铝箔在浓度为1％的氢氧化钠溶液中碱洗，碱洗时间为2分钟，然后，将碱洗后的铝箔在浓度为15％的γ-丁内脂和浓度为3％的顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，浸渍处理的时间为1分钟，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗，纯水的温度为95℃，漂洗时间为9分钟；2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于浓度为1％的己二酸铵、浓度为1％的柠檬酸和浓度为1％的柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，电流密度为1mA/㎝2，化成处理的溶液温度为70℃，化成所需电压后恒压3分钟，然后用纯水漂洗，纯水的温度为100℃，纯水漂洗的时间为3分钟；3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为1％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，干燥温度为200℃，干燥时间为5分钟，得到产品。实施例二铝电解电容器低压化成箔生产工艺，包括以下步骤：1)前处理：将低压铝箔在浓度为5％的氢氧化钠溶液中碱洗，碱洗时间为3分钟，然后，将碱洗后的铝箔在浓度为20％的γ-丁内脂和浓度为5％的顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，浸渍处理的时间为2分钟，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗，纯水的温度为98℃，漂洗时间为11分钟；2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于浓度为1.5％的己二酸铵、浓度为1.5％的柠檬酸和浓度为1.2％的柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，电流密度为25mA/㎝2，化成处理的溶液温度为80℃，化成所需电压后恒压6分钟，然后用纯水漂洗，纯水的温度为105℃，纯水漂洗的时间为4分钟；3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为5％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，干燥温度为300℃，干燥时间为8分钟，得到产品。实施例三铝电解电容器低压化成箔生产工艺，包括以下步骤：1)前处理：将低压铝箔在浓度为10％的氢氧化钠溶液中碱洗，碱洗时间为5分钟，然后，将碱洗后的铝箔在浓度为30％的γ-丁内脂和浓度为6％的顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，浸渍处理的时间为4分钟，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗，纯水的温度为100℃，漂洗时间为13分钟；2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于浓度为2％的己二酸铵、浓度为2％的柠檬酸和浓度为1.5％的柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，电流密度为50mA/㎝2，化成处理的溶液温度为90℃，化成所需电压后恒压8分钟，然后用纯水漂洗，纯水的温度为110℃，纯水漂洗的时间为5分钟；3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为10％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，干燥温度为400℃，干燥时间为10分钟，得到产品。本专利技术生产的产品杂质少，氧化膜中氧化铝晶体之间结构致密，缺陷少、漏电流低，能够有效减轻低压化成箔波浪边。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.铝电解电容器低压化成箔生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：/n1)前处理：将低压铝箔在氢氧化钠溶液中碱洗，然后，将碱洗后的铝箔在γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗；/n2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于己二酸铵、柠檬酸和柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，化成所需电压后恒压3-8分钟，然后用纯水漂洗；/n3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为1-10％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；/n4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，得到产品。/n

【技术特征摘要】
1.铝电解电容器低压化成箔生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：
1)前处理：将低压铝箔在氢氧化钠溶液中碱洗，然后，将碱洗后的铝箔在γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合溶液中进行浸渍处理，酸洗完成后将腐蚀铝箔在高温纯水中漂洗；
2)化成处理：将经过高温漂洗的腐蚀箔置于己二酸铵、柠檬酸和柠檬酸三铵溶液中，将腐蚀箔作为负极，以液中供电的方式，给铝箔输送电流，化成所需电压后恒压3-8分钟，然后用纯水漂洗；
3)后处理：将化成处理后的铝箔放入烘箱内进行干燥，干燥完成后将铝箔放入浓度为1-10％的磷酸二氢铵中进行化成处理，然后用纯水漂洗；
4)干燥处理：将后处理后的铝箔放入干燥炉进行干燥处理，得到产品。


2.根据权利要求1所述的铝电解电容器低压化成箔生产工艺，其特征在于：在步骤1)中，氢氧化钠溶液的浓度为1-10％，碱洗时间为2-5分钟。


3.根据权利要求1所述的铝电解电容器低压化成箔生产工艺，其特征在于：在步骤1)中，γ-丁内脂的浓度为15-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中浩，黄调，王建飞，徐运雄，梁学坚，
申请(专利权)人：恒扬韶关工业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44