一种提升玻璃基板与金属线路结合力的方法技术

本发明专利技术公开一种提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，提供改性硅烷偶联剂，对改性硅烷偶联剂进行水解处理制得水解产物，将水解产物制作于玻璃基板表面形成涂层，接着于涂层上方制作金属线路。本发明专利技术的改性硅烷偶联剂的水解产物可以起到键合无机

【技术实现步骤摘要】
一种提升玻璃基板与金属线路结合力的方法


[0001]本专利技术属于先进电子封装领域，涉及用于采用玻璃作为封装基板时如何解决其与金属线路之间的结合力问题，具体涉及一种提升玻璃基板与金属线路结合力的方法。

技术介绍

[0002]在过去几年中，异质三维集成封装技术得到快速发展。三维集成是一种新型系统级架构，其电路系统存在着多个芯片的堆叠，并使用硅通孔(Through Silicon Vias，TSV)将芯片在垂直方向进行互连，使系统实现更高的集成度、更高的运行速度和更低的功耗。此外，无线通信系统中存在多种无源模块，这些模块占据大量的基板面积。为减小封装尺寸，相关学者提出采用硅通孔设计紧凑的片上无源器件。但在射频范围，硅基具有高介电损耗和高制造成本，无法满足射频电路对于器件高品质因数的要求，玻璃具有较高的尺寸稳定性、各向同性、高透明性、高绝缘性和介电损耗小等诸多优点，是作为芯片封装基板的优选方案和制作玻璃基板通孔(Through Glass Vias，TGV)。
[0003]然而，玻璃与种子层金属和线路金属间存在结合力弱问题，现有的玻璃表面粗化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，提供改性硅烷偶联剂，对所述改性硅烷偶联剂进行水解处理制得水解产物，将所述水解产物制作于玻璃基板表面形成涂层，接着于所述涂层上方制作金属线路。2.根据权利要求1所述的提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，所述改性硅烷偶联剂水解采用的水解剂为A
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水，其中，A为醋酸、乙醇、甲醇、甲苯中的任一种。3.根据权利要求2所述的提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，A与水的体积比为9:1。4.根据权利要求2所述的提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，所述改性硅烷偶联剂在所述水解剂中的浓度为1～50％。5.根据权利要求1所述的提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，所述改性硅烷偶联剂为结构式(1)所示的苯并三氮唑基三乙氧基硅烷或者结构式(2)所示的赖氨酸基三乙氧基硅烷；6.根据权利要求5所述的提升玻璃基板与金属线路结合力的方法，其特征在于，所述苯并三氮唑基三乙氧基硅烷采用以下制备方法制得：S10a、将γ
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氨丙基三乙氧基硅烷溶于甲苯溶液中，然后与苯并三氮唑混合；S20a、加入催化剂1,3
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二乙烯基
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1,1,3,3
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四甲基二硅氧烷铂(0)，升温至50～70℃并搅拌，以蒸馏出多于的甲苯；S30a、采用提取剂提取出未反应的γ
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氨丙基三乙氧基硅烷，制得苯并三氮唑基...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，罗绍根，华显刚，
申请(专利权)人：佛山睿科微电子科技中心有限合伙，
类型：发明
国别省市：