半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括提供基底；在所述基底上形成金属布线层，所述金属布线层的表面上具有正电荷；向所述金属布线层提供反应气体，该反应气体发生解离，解离后产生的电子与金属布线层表面的正电荷发生中和反应，从而降低了金属原电池反应的反应速率，进而避免了利用清洗液在清洗金属布线层后金属布线层形成结构缺陷，提高了半导体结构的性能。了半导体结构的性能。了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，通过光刻、刻蚀、沉积等工艺在半导体基底上形成半导体结构，例如，动态随机存储器((Dynamic Random Access Memory，简称DRAM))，所形成的动态随机存储器通常包括核心存储区和外围电路区，其中，核心存储区用于设置多个存储单元，用于对数据信息进行存储，外围电路区通常包括多个金属布线层，多个金属布线层用于与存储单元电连接，以使得存储单元完成对数据信息的存储或者读取。
[0003]但是，在外围电路区的制造过程中，金属布线层中导电物质容易被腐蚀，降低金属布线层的导电能力，进而降低半导体结构的性能。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，用于防止金属布线层中的导电物质被腐蚀，保证金属布线层的导电能力，进而提高半导体结构的性能。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上形成金属布线层，所述金属布线层的表面上具有正电荷；向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷；对中和所述正电荷后的所述金属布线层进行清洗，以去除残留在所述金属布线层上的杂质。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷的步骤包括：提供氧气作为所述反应气体；激发所述氧气，形成负氧离子、正氧离子、自由基以及电子，所述电子中和所述正电荷，所述负氧离子与所述金属布线层表面的导电材料形成氧化物薄膜。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成金属布线层的步骤包括：在所述基底上依次形成介质层和导电层；形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽；在所述隔离槽内形成隔离层，所述隔离层和未被去除的所述导电层构成所述金属布线层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽的步骤包括：在所述导电层上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，以在所述光刻胶层内形成多个间隔设置的开口区；去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层，以形成所述隔离槽。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述隔离槽内形成隔离层的步骤包括：在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层；去除位于所述导电层表面上的填充层，以形成所述隔离层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层的步骤之前，在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层的步骤之后，所述方法还包括：去除光刻胶层，以暴露出所述导电层和所述隔离槽。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上依次形成介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：