沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。的上芯封装。的上芯封装。

【技术实现步骤摘要】
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。

技术介绍

[0002]以IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极性晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半场效晶体管)为代表的半导体功率器件是当今电力电子领域的主流器件，也是弱电控制强电的关键器件。这些半导体率器件广泛应用于诸如功率控制电路、驱动电路等电路结构中，特别是在各种变频电机、光伏逆变及智能电网、新能源汽车、电力机车牵引驱动等领域有着不可替代的作用。
[0003]随着功率器件制造技术的发展，目前沟道场终止型IGBT大都采用薄片工艺(晶圆的厚度为70um)，随着技术的发展，IGBT会越来越薄，且目前英飞凌已经实现IGBT直径12英寸、厚度50um的晶圆量产。晶圆厚度越来越薄，同时(沟道)的则设计越来越小，这样的结构发展趋势导致晶圆易发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟道型功率器件版图结构，其特征在于，包括：多个版图单元；每个所述版图单元具有栅极区以及四个环绕所述栅极区分布的沟道区，沿行方向或列方向，任意两个相邻的所述沟道区的沟道相互垂直。2.根据权利要求1所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，每个所述沟道区具有用于与所述栅极区匹配的避让缺口。3.根据权利要求2所述的沟道型功率器件版图结构，其特征在于，每个所述沟道区包括并排设置的第一沟道组和第二沟道组；所述第一沟道组的第一端与所述第二沟道组的第一端平齐，所述第二沟道组的第二端短于所述第二沟道组的第二端以形成所述避让缺口。4.根据权利要求3所述的沟道型功率器件版图...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖婷，史波，吴佳蒙，曾丹，曹俊，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：