半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上间隔开；以及多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以在所述多个线图案当中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，在该宽度改变部分中，第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在第二水平方向上改变。线图案之间在第二水平方向上改变。线图案之间在第二水平方向上改变。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]示例实施方式涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]随着对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能的需求增加，半导体器件的集成密度增加。半导体器件的在其中未设置集成电路的虚设区域可能限制半导体器件的集成密度的增加。

技术实现思路

[0003]实施方式针对一种半导体器件，其包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上彼此间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以设置在所述多个线图案中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，该宽度改变部分是其中第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的一对线图案之间在第二水平方向上改变的部分。
[0004]实施方式还针对一种半导体器件，其包括：半导体衬底；第一有源线，在半导体衬底上在第一水平方向上延伸并与第一电路区域、虚设区域和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：一对第一虚设有源区和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；一对第一电路有源区和第二电路有源区，在所述第一水平方向上延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开；以及多个线图案，在所述第二水平方向上延伸并且在所述第一水平方向上彼此间隔开，其中：所述一对第一虚设有源区和第二虚设有源区设置在所述多个线图案当中彼此相邻的一对线图案之间，以及所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区中的至少一个具有宽度改变部分，所述宽度改变部分是其中所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在所述第二水平方向上改变的部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一虚设有源区具有彼此相反的第一虚设有源侧表面和第二虚设有源侧表面，所述第二虚设有源区具有彼此相反的第三虚设有源侧表面和第四虚设有源侧表面，所述第二虚设有源侧表面和所述第三虚设有源侧表面彼此相对，以及在平面图中，所述第一虚设有源区的所述第一虚设有源侧表面和所述第二虚设有源区的所述第四虚设有源侧表面中的每个具有大致直线的线形状。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一虚设有源区的所述第二虚设有源侧表面在平面图中具有弯曲部。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二虚设有源区的所述第三虚设有源侧表面在平面图中具有弯曲部。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一虚设有源区包括第一宽度部分、第二宽度部分以及在所述第一宽度部分和所述第二宽度部分之间的第一宽度改变部分，所述第一宽度部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第二宽度部分在所述第二水平方向上的宽度，以及所述第一宽度部分在所述第一水平方向上的长度与所述第二宽度部分在所述第一水平方向上的长度基本相同。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一虚设有源区包括第一宽度部分、第二宽度部分以及在所述第一宽度部分和所述第二宽度部分之间的第一宽度改变部分，所述第一宽度部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第二宽度部分在所述第二水平方向上的宽度，以及所述第一宽度部分在所述第一水平方向上的长度不同于所述第二宽度部分在所述第一水平方向上的长度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一虚设有源区包括第一宽度部分、第二宽度部分以及在所述第一宽度部分和所述第二宽度部分之间的第一宽度改变部分，
所述第一宽度部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第二宽度部分在所述第二水平方向上的宽度，所述第二虚设有源区包括第三宽度部分、不同于所述第三宽度部分的第四宽度部分以及在所述第三宽度部分和所述第四宽度部分之间的第二宽度改变部分，以及所述第三宽度部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第四宽度部分在所述第二水平方向上的宽度。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一宽度部分和所述第三宽度部分彼此相对。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一虚设有源区包括第一宽度部分、第二宽度部分以及在所述第一宽度部分和所述第二宽度部分之间的第一宽度改变部分，所述第一宽度部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第二宽度部分在所述第二水平方向上的宽度，所述第二虚设有源区包括第三宽度部分、不同于所述第三宽度部分的第四宽度部分以及在所述第三宽度部分和所述第四宽度部分之间的第二宽度改变部分，以及所述第三宽度部分在所述第二水平方向上的宽度小于所述第四宽度部分在所述第二水平方向上的宽度。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述第一虚设有源区上的第一虚设源极/漏极区；在所述第二虚设有源区上的第二虚设源极/漏极区；在所述第一电路有源区上的第一电路源极/漏极区；在所述第二电路有源区上的第二电路源极/漏极区；层间绝缘层，覆盖所述第一虚设源极/漏极区和所述第二虚设源极/漏极区中的每个的整个上表面；第一源极/漏极接触插塞，电连接到所述第一电路源极/漏极区；以及第二源极/漏极接触插塞，电连接到所述第二电路源极/漏极区。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：所述第一电路源极/漏极区和所述第二电路源极/漏极区中的每个在平面图中具有对称结构，以及所述第一虚设源极/漏极区和所述第二虚设源极/漏极区中的至少一个在平面图中具有不对称结构。12.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一有源线，在所述半导体衬底上在第一水平方向上延...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡中揆，千宽永，金润镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：