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本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相...
该专利属于珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。

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