显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括氧化物晶体管，氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接氧化物有源层。本发明专利技术通过在氧化物晶体管的沟道两侧分别设置第一过孔和第二过孔，经由第一过孔和第二过孔对氧化物晶体管沟道两侧的区域进行导体化，解决了由于氧化物晶体管的沟道距离过孔的位置较远，导致氧化物晶体管的导体化程度低的技术问题。导体化程度低的技术问题。导体化程度低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)技术由于同时具备了低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly
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siliconThinFilmTransistor，LTPS TFT)的迁移率高和驱动能力强，以及氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的漏电流小和功耗低的特点，广泛应用于显示面板领域。
[0003]Oxide TFT的导体化工艺通常是通过源漏极层与有源层之间的连接孔进行离子注入来实现，然而，现有LTPO显示面板中Oxide TFT的沟道距离连接孔的位置较远，导致Oxide TFT的导体化程度低，显示面板压降大和数据写入不足，进而导致显示面板出现白边现象。
[0004]因此，现有LTPO显示面板存在Oxide TFT的导体化程度低的问题，需要解决。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种显示面板，以解决现有LTPO显示面板存在Oxide TFT的导体化程度低的问题。
[0006]本专利技术实施例提供一种显示面板，包括氧化物晶体管，在所述氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，所述氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述氧化物有源层。
[0007]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离和所述第二过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离相同。
[0008]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一过孔和所述第二过孔关于所述氧化物晶体管的沟道对称设置。
[0009]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一过孔的孔径和所述第二过孔的孔径相同。
[0010]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板包括层叠设置的第二栅极层、第二有源层、第三栅极层和第一源漏极层；所述第二栅极层形成所述氧化物晶体管的低栅结构，所述第二有源层为所述氧化物薄膜晶体管的所述氧化物有源层且形成所述氧化物晶体管的沟道，所述第三栅极层形成所述氧化物晶体管的顶栅结构，所述第一源漏极层为所述氧化物薄膜晶体管的源漏极层且形成所述氧化物晶体管的源极和漏极。
[0011]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板还包括至少一个低温多晶硅晶体管，所述显示面板还包括第一有源层和第一栅极层，所述第一有源层为低温多晶硅有源层，所述第一栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的底栅结构，所述第二栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的顶栅结构，所述所述第一源漏极层为所述低温多晶硅晶体管的源漏极层且形成所述低温多晶硅晶体管的源极和漏极；所述第一有源层、所述第一栅极层、所述第二
栅极层、所述第二有源层、所述第三栅极层和所述第一源漏极层依次叠层设置。
[0012]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板还包括第二源漏极层，所述第二源漏极层设置于所述第一源漏极层远离所述第三栅极层高的一侧，所述第二源漏极层在所述第二有源层上的投影覆盖所述氧化物晶体管的沟道。
[0013]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板两个包括第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管，所述第一氧化物晶体管的源极和所述第二氧化物晶体管的漏极连接。
[0014]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一氧化物晶体管的源极和所述第二氧化物晶体管的漏极之间通过连接线连接，所述连接线与所述氧化物晶体管的源漏极同层设置。
[0015]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管；其中，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为所述氧化物晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。
[0016]本专利技术提供的显示面板包括氧化物晶体管，氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接氧化物有源层。本专利技术通过在氧化物晶体管的沟道两侧分别设置第一过孔和第二过孔，经由第一过孔和第二过孔对氧化物晶体管沟道两侧的区域进行导体化，解决了由于氧化物晶体管的沟道距离过孔的位置较远，导致氧化物晶体管的导体化程度低的技术问题。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本专利技术实施例提供的显示面板的像素驱动电路图；
[0019]图2是本专利技术实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
[0020]图3是本专利技术实施例提供的显示面板的各膜层的平面叠加结构示意图；
[0021]图4是本专利技术实施例提供的显示面板的第一有源层的平面结构示意图；
[0022]图5是本专利技术实施例提供的显示面板的第一栅极层的平面结构示意图；
[0023]图6是本专利技术实施例提供的显示面板的第二栅极层的平面结构示意图；
[0024]图7是本专利技术实施例提供的显示面板的第二有源层的平面结构示意图；
[0025]图8是本专利技术实施例提供的显示面板的第三栅极层的平面结构示意图；
[0026]图9是本专利技术实施例提供的显示面板的第一源漏极层的平面结构示意图；
[0027]图10是本专利技术实施例提供的显示面板的第二源漏极层的平面结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0029]本专利技术实施例提供一种显示面板，以解决现有LTPO显示面板存在Oxide TFT的导体化程度低的问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0030]在一种实施例中，请参照图1，图1示出了本专利技术实施例提供的显示面板的像素驱动电路图。如图1所示，本专利技术实施例提供的显示面板包括发光器件EL和驱动该发光器件EL发光显示的像素驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括至少一个氧化物晶体管，其特征在于，所述氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，所述氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，所述氧化物晶体管的源极和漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述氧化物有源层。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离和所述第二过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离相同。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔关于所述氧化物晶体管的沟道对称设置。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔的孔径和所述第二过孔的孔径相同。5.如权利要求1至4中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括层叠设置的第二栅极层、第二有源层、第三栅极层和第一源漏极层；所述第二栅极层形成所述氧化物晶体管的低栅结构，所述第二有源层为所述氧化物薄膜晶体管的所述氧化物有源层且形成所述氧化物晶体管的沟道，所述第三栅极层形成所述氧化物晶体管的顶栅结构，所述第一源漏极层为所述氧化物薄膜晶体管的源漏极层且形成所述氧化物晶体管的源极和漏极。6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括至少一个低温多晶硅晶体管，所述显示面板还包括第一有源层和第一栅极层，所述第一有源层为低温多晶硅有源层，所述第一栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的底栅结构，所述第二栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，戴超，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：