一种C制造技术

本发明专利技术涉及一种C

【技术实现步骤摘要】
一种C
f
/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料


技术介绍

[0002]新型高速飞行器是空天技术的新制高点，受到世界各国的广泛关注。以连续纤维为增强体，超高温陶瓷为基体所制备的超高温陶瓷基复合材料，从根本上克服了陶瓷材料固有的脆性，同时具有轻质、耐超高温、非脆性断裂、抗氧化烧蚀、可设计性强等优点，成为高速飞行器热防护及新一代超燃冲压发动机防热部件的首选材料。但现有掺杂(例如，ZrC、HfC、ZrB2等)，所得复合材料的力学性能和抗氧化烧蚀性能提升有限。

技术实现思路

[0003]为此，本专利技术的目的在于提供一种具有优异力学性能和抗氧化烧蚀的C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。
[0004]一方面，本专利技术提供了一种C
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/Ta4HfC5‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，包括：碳纤维预制体、填充在碳纤维预制体中的SiC基体，以及分布在SiC基体和碳纤维预制体之间的Ta4HfC5基体。2.根据权利要求1所述的C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料中Ta4HfC5基体的含量为50～70wt%。3.根据权利要求1或2所述的C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料中碳纤维预制体的体积分数为30～50vol%；所述碳纤维预制体中碳纤维表面还包括界面层，选自PyC层、SiC层、Py/SiC复合界面层中的至少一种。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的C
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SiC超高温陶瓷基复合材料，其特征在于，所述C
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SiC超高温陶瓷基复合材料的室温弯曲强度≥300MPa，室温拉伸强度≥150MPa，室温断裂韧性≥10MPa
·
m
1/2
；在4MW/m2热流密度空气等离子烧蚀条件下，所述C
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SiC超高温陶瓷基复合材料的质量烧蚀率≤1 mg/s，线烧蚀率≤1μm/s。5.一种权利要求1
‑
4中任一项所述的C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，采用前驱体浸渍裂解方法依次向碳纤维预制体中引入Ta4HfC5基体和SiC陶瓷基体，得到所述C
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/Ta4HfC5‑
SiC超高温陶瓷基复合材料。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪德伟，邹雪刚，董绍明，周海军，张翔宇，丁玉生，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：