本发明专利技术公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫凸设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫，设于该载板的该表面上，及一导电接合层，该导电接合层包含一电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。合垫之间。合垫之间。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201610150144.4，申请日：2016年03月16日，专利技术名称：半导体装置及其制造方法)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种半导体装置，特别是涉及半导体装置的接合结构及其制造方法。
技术介绍
[0003]半导体装置包含由
Ⅲ‑Ⅴ
族元素组成的化合物半导体，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)，半导体装置可以为发光二极管(LED)、功率装置或太阳能电池。其中，LED的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层，活性层设于p型半导体层与n型半导体层之间，使得在一外加电场作用下，n型半导体层及p型半导体层所分别提供的电子及空穴在该活性层复合，以将电能转换成光能。
[0004]为了提高LED的电性效能与散热效率，以芯片直接接合载板的倒装式LED应运而生，然而，随着电子产品薄型化，习用手法制备倒装式LED的良率随之下降，倒装式LED的可靠度也受到影响。
技术实现思路
[0005]本专利技术关于一种半导体装置，包含一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫，设于该载板的该表面上，及一导电接合层，该导电接合层包含一电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。
[0006]本专利技术关于一种半导体装置的制造方法，包含备有一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫设于该叠层结构一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，备有一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫设于该载板的该表面，将一导电胶涂布于该半导体管芯的该表面，或者涂布于该载板的该表面，其中该导电胶覆盖于该第一接合垫及该第二接合垫，或者该导电胶覆盖于该第三接合垫或该第四接合垫，将该半导体管芯的该第一接合垫及该第二接合垫分别对位于该载板的该第三接合垫及该第四接合垫，及固化该导电胶，以于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间形成一电流导通区，其中该导电胶包含一导电材料及一不导电材料。
附图说明
[0007]图1为本专利技术一实施例的半导体装置的剖视图；
[0008]图2为本专利技术第一实施例的半导体装置的剖视图；
[0009]图3为本专利技术第二实施例的半导体装置的剖视图；
[0010]图4为本专利技术第三实施例的半导体装置的剖视图；
[0011]图5为本专利技术第四实施例的半导体装置的立体图；
[0012]图6为本专利技术第四实施例的半导体装置沿图5a
‑
a
’
剖面的剖视图；
[0013]图7为本专利技术的半导体装置的制造方法流程图；
[0014]图8为本专利技术第五实施例的半导体装置的剖视图；
[0015]图9为本专利技术第六实施例的半导体装置的剖视图；
[0016]图10为本专利技术第一实施例的发光模块的上视图；
[0017]图11为本专利技术第二实施例的发光模块的剖视图；
[0018]图12为本专利技术第二实施例发光模块的立体图；
[0019]图13为本专利技术一实施例的半导体管芯的剖视图；
[0020]图14为本专利技术另一实施例的半导体管芯的剖视图。
[0021]符号说明
[0022]100
ꢀꢀ
半导体装置
[0023]200、300
ꢀꢀ
发光模块
[0024]1ꢀꢀ
半导体管芯、第一发光管芯
[0025]11
ꢀꢀ
叠层结构
ꢀꢀꢀꢀ
111
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表面
[0026]112
ꢀꢀ
第一接合垫
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112a
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第一接合面
[0027]112b 侧表面
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112E 第一金属延伸部
[0028]112T 第一端
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113
ꢀꢀ
第二接合垫
[0029]113E 第二金属延伸部 113T 第二端
[0030]114
ꢀꢀ
第一侧表面
ꢀꢀꢀꢀꢀ
115
ꢀꢀ
第二侧表面
[0031]116、116
’ꢀꢀ
主要出光面
[0032]121
ꢀꢀ
基板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
122
ꢀꢀ
半导体叠层
[0033]122a 第一半导体层
ꢀꢀꢀ
122b 第二半导体层
[0034]122c 活性层
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13
ꢀꢀ
第一通道
[0035]14
ꢀꢀ
第二通道
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
15
ꢀꢀ
反射层
[0036]16
ꢀꢀ
绝缘层
[0037]2ꢀꢀ
载板
[0038]21
ꢀꢀ
表面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
22 第三接合垫
[0039]22a
ꢀꢀ
第二接合面
ꢀꢀꢀꢀꢀ
23
ꢀꢀ
第四接合垫
[0040]24
ꢀꢀ
反射壁
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
25
ꢀꢀ
凹口
[0041]26
ꢀꢀ
反射墙
[0042]3ꢀꢀ
导电接合层
[0043]31
ꢀꢀ
电流导通区
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
311
ꢀꢀ
第一导通部分
[0044]312
ꢀꢀ
第二导通部分
ꢀꢀꢀ
32
ꢀꢀ
电流隔绝区
[0045]321
ꢀꢀ
第一绝缘部分
ꢀꢀꢀ
322
ꢀꢀ
第二绝缘部分
[0046]323
ꢀꢀ
第三绝缘部分
[0047]4ꢀꢀ
第二发光管芯
[0048]41 第二波长转换层
[0049]5ꢀꢀ
第三发光管芯
[0050]51
ꢀꢀ
第三波长转换层 52
ꢀꢀ
第一电极
[0051]53
ꢀꢀ
第二电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
54
ꢀꢀ
金属线
[0052]6ꢀꢀ
透明胶体
[0053]301
ꢀꢀ
导光板
[0054]302
ꢀꢀ
扩散板
ꢀ本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：半导体管芯，包含叠层结构、主要发光面、及第一接合垫与第二接合垫，其中，该主要发光面与该第一接合垫设于该叠层结构的相对侧，该第一接合垫具有远离该叠层结构的第一外表面，载板，具有连接表面；第三接合垫及第四接合垫，设于该载板的该连接表面上，且该第三接合垫具有第二外表面；及导电接合层，包含：第一导通部分，设于该第一接合垫与该第三接合垫之间，且具有第一外轮廓；第二导通部分，设于该第二接合垫与该第四接合垫之间；以及电流隔绝区，从剖视图观之，覆盖该第一导通部分，其中，从剖视图观之，该第一外表面在该第一导通部分内具有最接近该载板的第一位置及最远离该载板且位于该第一位置正上方的第二位置，其中，该第一位置与位于该第一外轮廓上距离该载板最远的位置之间具有的第一距离大于该第二位置与位于该第一外轮廓上距离该载板最远的位置之间具有的第二距离。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该叠层结构与该载板之间的距离与该第一接合垫与该载板之间的距离相等。3.如权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖世安，陈効义，许明祺，刘俊宏，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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