一种封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供半导体基板；采用高深宽比刻蚀工艺对半导体基板进行刻蚀，在半导体基板中形成多个沟槽；在沟槽内形成导电连接结构；形成第一重布线结构，第一重布线结构位于半导体基板和导电连接结构的一侧，第一重布线结构与导电连接结构连接；形成第一重布线结构之后，去除半导体基板。上述制备方法制得的封装结构同时具有较高的集成密度和高频传输能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，半导体封装趋于向高密度、多功能、低功耗、小型化的方向发展。扇出型晶圆级封装技术可以在一个封装结构中进行垂直和水平方向的多芯片异质集成，具有高度的集成灵活性。现有扇出型晶圆级封装技术中，形成用于三维扇出封装与天线集成扇出封装垂直互连的塑封体通孔(TMV)的方法包括激光烧孔、垂直打线、厚光刻胶电镀或包覆层打孔。
[0003]然而，上述方法得到的封装结构由于不能同时具有较高的集成密度和高频传输能力，因此无法满足高阶芯片对封装结构的需求。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有封装结构不能同时具有较高的集成密度和高频传输能力的缺陷，从而提供一种封装结构及其制备方法。
[0005]本专利技术提供一种封装结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体基板；用高深宽比刻蚀工艺对所述半导体基板进行刻蚀，在所述半导体基板中形成多个沟槽；在所述沟槽内形成导电连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体基板；采用高深宽比刻蚀工艺对所述半导体基板进行刻蚀，在所述半导体基板中形成多个沟槽；在所述沟槽内形成导电连接结构；形成第一重布线结构，所述第一重布线结构位于所述半导体基板和所述导电连接结构的一侧，所述第一重布线结构与所述导电连接结构连接；形成第一重布线结构之后，去除所述半导体基板。2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述半导体基板的材料为硅；所述高深宽比刻蚀工艺为BOSCH工艺；所述BOSCH工艺包括：第一步骤：在所述半导体基板中刻蚀形成初始沟槽；第二步骤：在所述初始沟槽的侧壁和底面形成钝化层；第三步骤：刻蚀所述初始沟槽底部的钝化层和半导体基板；重复进行第二步骤和第三步骤直至形成所述沟槽。3.根据权利要求1或2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为10－20。4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成第一重布线结构的步骤包括：形成第一重布线层的步骤和形成第一绝缘层的步骤；所述半导体基板的材料为硅；形成第一重布线结构的方法为大马士革工艺。5.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，在形成所述沟槽之后，在形成所述导电连接结构之前，还包括：在所述沟槽的内壁形成介质层；形成所述导电连接结构之后，所述沟槽内壁的介质层位于所述导电连接结构与所述半导体基板之间；在去除所述半导体基板之后，还包括：在所述第一重布线结构朝向所述导电连接结构的一侧形成第二包封层，所述第二包封层包裹所述导电连接结构外侧的所述介质层。6.根据权利要求5所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一重布线结构包括第一绝缘层；所述介质层还延伸至所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全龙，曹立强，严阳阳，戴风伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：