半导体器件的封装方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的封装方法，所述半导体器件的封装方法，包括：提供第一衬底晶圆，所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片；在所述第一衬底晶圆上形成支撑层，所述支撑层内具有第一开口，所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片；在所述支撑层上形成封盖层，所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔；切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。本发明专利技术通过在第一衬底晶圆上形成支撑层、封盖层，以提高第一衬底晶圆和支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度，从而提高有封盖层、支撑层和第一衬底晶圆围成的空腔结构的可靠性，确保空腔结构具备较好的气密性。确保空腔结构具备较好的气密性。确保空腔结构具备较好的气密性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种半导体器件的封装方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路的发展，半导体集成电路制造产业已经成为电子制造业的基础和核心，支持并推动着相关产业的繁荣与发展。支持半导体集成电路不断改进的原动力是芯片关键尺寸的不断缩小，而芯片需要先通过切割、测试，再将完好的、稳定的、足容量的晶粒取下封装形成。
[0003]通常，为便于分割芯片，需要在相邻支撑膜层之间形成切割道，再对切割道进行曝光显影，从而便于在封装完成后将其切割成多个独立的芯片。由于支撑膜层和盖膜层的材料收缩力、热膨胀系数不同，因此该膜层中靠近切割道附近的盖膜层容易发生剥落，从而使得位于支撑膜层上的空腔功能区失效，进而影响产品良率甚至造成产品报废。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的封装方法，能够提高材料的结合能力，避免材料收缩以及发生空腔失效、空腔变形等情形，从而增加良品率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的封装方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：提供第一衬底晶圆，所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片；在所述第一衬底晶圆上形成支撑层，所述支撑层内具有第一开口，所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片；在所述支撑层上形成封盖层，所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔；切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成所述支撑层的方法包括：提供支撑膜层，将所述支撑膜层粘接于所述第一衬底晶圆上，所述支撑膜层覆盖所述第一衬底晶圆的上表面及形成于所述第一衬底晶圆上表面的芯片；图形化所述支撑膜层，形成多个独立的第一开口，所述第一开口暴露所述芯片，且所述第一开口外围的支撑膜层形成所述支撑层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，在形成支撑层后，对所述支撑层进行固化，所述固化的温度为200℃
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300℃，所述固化的工艺时间为1.5h
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2.5h。4.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的材料包括有机材料，所述有机材料包括光刻胶、干膜和液态干膜中的至少一种。5.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的厚度为0.10μm～4μm。6.根据权利要求1或4所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封盖层的材料包括：有机材料，所述有机材料包括光刻胶和干膜中的至少一种。7.根据权利要求6所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成所述封盖层的方法包括：提供封盖层；将所述封盖层粘接于所述支撑层上，所述封盖层覆盖所述第一开口形成空腔；对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：甄哲，武瑞杰，张瑞朋，丁敬秀，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：