温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种封装结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供半导体基板；采用高深宽比刻蚀工艺对半导体基板进行刻蚀，在半导体基板中形成多个沟槽；在沟槽内形成导电连接结构；形成第一重布线结构，第一重布线结构位于半导体基板和导电连接结构的一侧，...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。