导电性树脂组合物和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)。该自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。℃以上120℃以下。℃以上120℃以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性树脂组合物和半导体装置


[0001]本专利技术涉及导电性树脂组合物和半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，作为用于在铜等引线框(lead frame)上芯片焊接(die bonding)IC、LSI等半导体元件的材料，例如含有金属颗粒的导电性树脂组合物的开发正在进行。作为对该导电性树脂组合物所要求的主要特性，有导电性和导热性。例如，在专利文献1中公开了：通过对板形银微颗粒进行烧结，与仅填充有通常的银粉的情况相比，能够提高导热率。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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194013号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]近年来，分布在引线框中的导电性树脂组合物中所包含的树脂的渗出现象(称为EBO(环氧渗出：Epoxy bleed out))成为问题。当发生EBO时，会成为导电性树脂组合物的密合性降低，进而半导体封装的可靠性降低的主要原因。因此，作为EBO的对策，有时在引线框上形成被称作EBO抑制剂的表面处理层。
[0008]当在表面形成有EBO抑制剂的引线框上芯片焊接半导体元件时，由于隔着由EBO抑制剂构成的表面处理层，因此会产生引线框与半导体元件之间的剥离强度降低的新的技术问题。但是，在现有技术中，这样的技术问题未得到解决，关于导电性树脂组合物留有开发的余地。
[0009]本专利技术是鉴于上述情况而做出的，其提供一种能够提高在由EBO抑制剂实施了表面处理的金属框架上粘接半导体元件时的剥离强度的导电性树脂组合物。
[0010]用于解决技术问题的手段
[0011]根据本专利技术，提供一种导电性树脂组合物，其包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)，所述自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。
[0012]并且，根据本专利技术，提供一种导电性树脂组合物，其包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和含氮杂环化合物(E)。
[0013]并且，根据本专利技术，提供一种半导体装置，其具有上述的导电性树脂组合物的固化物。
[0014]专利技术效果
[0015]采用本专利技术，能够提高在由EBO抑制剂实施了表面处理的金属框架上粘接半导体元件时的剥离强度。
附图说明
[0016]上述的目的和其他的目的、特征和优点，通过下面说明的优选的实施方式和附随于其的下述附图将会进一步明确。
[0017]图1是表示实施方式的半导体装置的截面图。
[0018]图2是表示芯片剥离强度的测定方法的示意图。
具体实施方式
[0019]下面，对本专利技术的实施方式进行详细说明。另外，在本说明书中，数值范围的说明中的“a～b”的表述，只要没有特别说明，就表示a以上b以下。
[0020]下面说明的导电性树脂组合物，优选用作在由EBO抑制剂实施了表面处理的引线框等配线部件上芯片焊接半导体元件时的材料。
[0021](实施方式1)
[0022]实施方式1的导电性树脂组合物包含Ag颗粒(A)、基础树脂(B)和自由基引发剂(C)。自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。下面，对本实施方式的导电性树脂组合物的各成分进行说明。另外，在下面的说明中，相对于导电性树脂组合物整体的含量，是指各成分的质量相对于除后述的溶剂以外的成分的合计质量的比例。
[0023](Ag颗粒(A))
[0024]本实施方式的导电性树脂组合物中所包含的Ag颗粒(A)，通过对导电性树脂组合物进行热处理引起烧结从而形成颗粒连结结构。即，在对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物中，Ag颗粒(A)彼此相互熔接地存在。
[0025]由此，对导电性树脂组合物进行加热而得到的固化物，能够提高对引线框等配线部件和半导体元件的密合性和导电性。
[0026]另外，当在配线部件的表面涂敷有EBO抑制剂时，导电性树脂组合物中所包含的Ag颗粒(A)会穿破由EBO抑制剂构成的表面处理层而到达配线部件。由此，能够抑制EBO，并且使配线部件与半导体元件之间的导电性良好。
[0027]Ag颗粒(A)的形状没有特别限定，例如可以举出球状、片(flake)状和鳞片状等。在本实施方式中，更优选Ag颗粒(A)包含球状颗粒。由此，能够提高Ag颗粒(A)的烧结性。并且，还能够有助于提高烧结的均匀性。
[0028]另外，从降低成本的观点出发，也能够采用Ag颗粒(A)包含片状颗粒的方式。进而，从提高成本降低与烧结均匀性的平衡的观点出发，也可以是Ag颗粒(A)包含球状颗粒和片状颗粒这两者。
[0029]在本实施方式中，Ag颗粒(A)例如共计包含Ag颗粒(A)整体的90质量％以上100质量％以下的球状颗粒和片状颗粒，更优选包含95质量％以上100质量％以下的球状颗粒和片状颗粒。由此，能够更有效地提高烧结的均匀性。另外，从进一步提高烧结的均匀性的观点出发，Ag颗粒(A)例如更优选包含Ag颗粒(A)整体的90质量％以上100质量％以下的球状颗粒，进一步优选包含95质量％以上100质量％以下的球状颗粒。
[0030]在本实施方式中，Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D
50
优选为0.8μm以上，更优选为1.0μm以上，进一步优选为1.2μm以上。通过使Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D
50
为该数值以上，能够实现提高导热性。
[0031]另一方面，Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D
50
优选为5.0μm以下，更优选为4.5μm以下，进一步优选为4.0μm以下。通过使Ag颗粒(A)的在体积基准的累计分布中的累计50％时的粒径D
50
为该数值以下，能够提高Ag颗粒(A)之间的烧结性，从而能够实现提高烧结的均匀性。
[0032]当Ag颗粒(A)的粒径D
50
在由上述的上限值和下限值构成的范围内时，能够实现提高导热性，而且还能够实现提高烧结的均匀性。另外，上限值和下限值可以适当地组合。
[0033]Ag颗粒(A)的粒径例如可以通过使用希森美康株式会社(Sysmex Corporation)制造的流动式颗粒像分析装置FPIA(注册商标)
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3000进行颗粒图像测量来确定。更具体而言，可以通过使用上述装置测量体积基准的中位直径来确定Ag颗粒(A)的粒径。
[0034]通过采用该条件，例如当存在粒径大的颗粒时，能够敏感地检测其影响，并且，即使是像本实施方式的Ag颗粒(A)那样窄的粒度分布的颗粒，也能够高精度地进行测定。
[0035]并且，在本实施方式的导电性树脂组合物中，Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差被设定为2.0μm以下。通过这样将Ag颗粒(A)的粒径的标准偏差设定为上述的值以下，能够进一步提高烧结时的均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种导电性树脂组合物，其特征在于，包含：Ag颗粒(A)；基础树脂(B)；和自由基引发剂(C)，所述自由基引发剂(C)的10小时半衰期温度为100℃以上120℃以下。2.根据权利要求1所述的导电性树脂组合物，其特征在于：所述自由基引发剂(C)为选自酮过氧化物类、过氧缩酮类、氢过氧化物类、二烷基过氧化物类、二酰基过氧化物类和过氧二碳酸酯类中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物，其特征在于：还包含单体(D)。4.根据权利要求3所述的导电性树脂组合物，其特征在于：单体(D)为选自丙烯酸单体、(甲基)丙烯酸单体和共轭烯烃中的至少1种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的导电性树脂组合物，其特征在于：还包含含氮杂环化合物(E)。6.根据权利要求5所述的导电性树脂组合物，其特征在于：含氮杂环化合物(E)为选自三嗪、三唑、三聚异氰酸和它们的衍生物中的至少1种。7.一种导电性树脂组合物，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉野孝一，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：