层叠体、柔性电子器件及层叠体的制造方法技术

本公开涉及一种层叠体，是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体，所述基材层至少包含挠曲性基材，在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪(TOF

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、柔性电子器件及层叠体的制造方法


[0001]本公开涉及至少具有至少包含挠曲性基材的基材层、和无机薄膜层的层叠体、包含该层叠体的柔性电子器件、以及该层叠体的制造方法。

技术介绍

[0002]赋予了阻气性的层叠体在食品、工业用品、医药品等的包装用途中得到广泛使用。近年来，在太阳能电池及有机EL显示器等电子器件的柔性基板等中，需求具有与上述食品用途等相比进一步提高了的阻气性的层叠体。为了提高此种层叠体的阻气性等，正在研究在包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的挠曲性基材上具有有机层的基材层上进一步层叠有薄膜层的层叠体(例如专利文献1及2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
68383号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2013/146964号

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]根据本专利技术人的研究，发现在将此种层叠体以卷对卷工艺进行运送时、在柔性基板等中使用时，由于弯曲的原因而有层间的密合性降低的情况。当密合性降低、在层间产生剥离时，则有引起阻气性的降低、光学特性的降低等情况。
[0009]因而，本专利技术的一个实施方式的目的在于，提供基材层与无机薄膜层的密合性优异的层叠体、特别是耐弯曲性试验后的基材层与无机薄膜层的密合性优异的层叠体。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]本专利技术人为了达成上述目的，着眼于基材层与无机薄膜层之间的交界部分进行了深入研究。其结果是发现，在对层叠体使用飞行时间型二次离子质谱仪(TOF
‑
SIMS)测定的深度剖析中具有规定的特征的情况下，换言之，在基材层与无机薄膜层之间的交界部分存在SiO
x
的存在比例高的区域的情况下，可以获得解决上述问题的层叠体，从而完成了本公开。
[0012]即，本公开包含以下的合适的方式。
[0013]〔1〕一种层叠体，是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体，所述基材层至少包含挠曲性基材，在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪(TOF
‑
SIMS)测定而得的深度剖析中，将Si
‑
、C
‑
及O2‑
的离子强度分别设为I
Si
、I
C
及I
O2
，
[0014]在C
‑
的离子强度曲线中，将基材层侧的离子强度值的变异系数的绝对值为5％以内的区域A1的平均离子强度设为I
CA1
，将相对于该区域A1在无机薄膜层表面侧且最接近该区域A1的、显示I
CA1
的0.5倍以下的离子强度的深度设为A2，将相对于A2在无机薄膜层表面侧且最接近A2的、显示极小值的深度设为A3，
[0015]在C
‑
的离子强度的一次微分曲线中，将相对于A3在无机薄膜层表面侧且最接近A3的、微分值为0以上的深度设为B，将相对于A3在基材层侧且最接近A3的、显示微分分布值的极大值d(I
C
)
max
的深度设为C，将相对于C在基材层侧且最接近C的、微分值的绝对值为d(I
C
)
max
的0.01倍以下的深度设为D，
[0016]则I
O2
/I
Si
的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少1个极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
。
[0017]〔2〕根据所述〔1〕中记载的层叠体，其中，极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
为0.4以上。
[0018]〔3〕根据所述〔1〕或〔2〕中记载的层叠体，其中，将从无机薄膜层侧的最表面算起5nm基材层侧的深度设为E，
[0019]则在I
O2
/I
Si
的分布曲线的深度E与深度B之间的区域EB中，I
O2
/I
Si
的标准偏差为0.07以下。
[0020]〔4〕根据所述〔1〕～〔3〕中任一项记载的层叠体，其中，I
C
/I
Si
的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少1个极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
。
[0021]〔5〕根据所述〔1〕～〔4〕中任一项记载的层叠体，其中，极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
为0.8以下。
[0022]〔6〕根据所述〔1〕～〔5〕中任一项记载的层叠体，其中，在I
C
/I
Si
的分布曲线的深度E与深度B之间的区域EB中，I
C
/I
Si
的标准偏差为0.15以下。
[0023]〔7〕根据所述〔1〕～〔6〕中任一项记载的层叠体，其中，显示极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
的深度与显示极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
的深度之间的距离为区域BD的距离的0.7倍以下。
[0024]〔8〕一种层叠体，是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体，所述基材层至少包含挠曲性基材及包含具有氨基甲酸酯键的成分的层，在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪(TOF
‑
SIMS)测定而得的深度剖析中，将CN
‑
、Si
‑
、C
‑
及O2‑
的离子强度分别设为I
CN
、I
Si
、I
C
及I
O2
，
[0025]在CN
‑
的离子强度的一次微分曲线中，将显示微分分布值的极大值d(I
CN
)
max
的深度设为F，将相对于F在无机薄膜层表面侧且最接近F的、微分值的绝对值为极大值d(I
CN
)
max
的0.01倍以下的深度设为G，将相对于F在基材层侧且最接近F的、微分值的绝对值为极大值d(I
CN
)
max
的0.01倍以下的深度设为H，
[0026]则I
O2
/I
Si
的分布曲线在深度G与深度H之间的区域GH中具有至少1个极大值(I
O2
/I
Si
)
maxGH
。
[0027]〔9〕根据所述〔8〕中记载的层叠体，其中，极大值(I
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠体，是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体，所述基材层至少包含挠曲性基材，在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪TOF
‑
SIMS测定而得的深度剖析中，将Si
‑
、C
‑
及O2‑
的离子强度分别设为I
Si
、I
C
及I
O2
，在C
‑
的离子强度曲线中，将基材层侧的离子强度值的变异系数的绝对值为5％以内的区域A1的平均离子强度设为I
CA1
，将相对于该区域A1在无机薄膜层表面侧且最接近该区域A1的、显示I
CA1
的0.5倍以下的离子强度的深度设为A2，将相对于A2在无机薄膜层表面侧且最接近A2的、显示极小值的深度设为A3，在C
‑
的离子强度的一次微分曲线中，将相对于A3在无机薄膜层表面侧且最接近A3的、微分值为0以上的深度设为B，将相对于A3在基材层侧且最接近A3的、显示微分分布值的极大值d(I
C
)
max
的深度设为C，将相对于C在基材层侧且最接近C的、微分值的绝对值为d(I
C
)
max
的0.01倍以下的深度设为D，则I
O2
/I
Si
的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少1个极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
。2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
为0.4以上。3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，将从无机薄膜层侧的最表面算起5nm基材层侧的深度设为E，则在I
O2
/I
Si
的分布曲线的深度E与深度B之间的区域EB中，I
O2
/I
Si
的标准偏差为0.07以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，I
C
/I
Si
的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少1个极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
为0.8以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，在I
C
/I
Si
的分布曲线的深度E与深度B之间的区域EB中，I
C
/I
Si
的标准偏差为0.15以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其中，显示极大值(I
O2
/I
Si
)
maxBD
的深度与显示极小值(I
C
/I
Si
)
minBD
的深度之间的距离为区域BD的距离的0.7倍以下。8.一种层叠体，是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体，所述基材层至少包含挠曲性基材及包含具有氨基甲酸酯键的成分的层，在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪TOF
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：山川胜平，山下恭弘，大关美保，花冈秀典，有村孝，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：