研磨后清洗装置和化学机械研磨设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种研磨后清洗装置和一种化学机械研磨设备。所述研磨后清洗装置中，第一滚刷和第二滚刷分别设置于进行研磨后清洗处理的半导体基片的两侧，第一滚刷清洁模块包括酸液供给槽和进液口连接酸液供给槽的第一喷淋管路，第二滚刷清洁模块包括碱液供给槽和进液口连接碱液供给槽的第二喷淋管路，第一喷淋管路和第二喷淋管路的喷液方向都设置为朝向第一和第二滚刷。所述研磨后清洗装置可以利用第一和第二滚刷清洁模块分别对滚刷进行酸洗和碱洗，可以有效去除滚刷表面附着的杂质，提高滚刷对半导体基片的清洗效果，延长滚刷的寿命，降低生产成本。本实用新型专利技术提供的化学机械研磨设备包括所述研磨后清洗装置。学机械研磨设备包括所述研磨后清洗装置。学机械研磨设备包括所述研磨后清洗装置。

【技术实现步骤摘要】
研磨后清洗装置和化学机械研磨设备


[0001]本技术涉及研磨后清洗
，特别涉及一种研磨后清洗装置以及一种化学机械研磨设备。

技术介绍

[0002]目前的化学机械研磨(CMP)工艺中，通过在研磨垫上添加研磨液来对研磨件(例如硅晶圆等半导体基片)进行化学机械研磨，而研磨液中含有较多的有机物和研磨粒子，因而在研磨完成后，半导体基片的表面粘有较多的研磨粒子(slurry abrasive)和有机物颗粒(organic particle)等杂质，需要利用研磨后清洗装置来对半导体基片进行清洁。
[0003]图1为对半导体基片进行研磨后清洗的示意图。如图1所示，一种CMP 工艺中，在对半导体基片上的铜材料进行CMP处理后，利用研磨后清洗装置对半导体基片130进行滚刷清洗(roller clean)时，其中，对称设置的第一滚刷110a、第二滚刷110b对半导体基片130的两个表面进行刷洗，以去除半导体基片130表面的研磨粒子和一些有机物颗粒等杂质，同时，通过清洗液供给装置120在该刷洗过程中向半导体基片130的上表面和下表面提供清洗液。在刷洗过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨后清洗装置，其特征在于，包括：基片支撑结构，用于夹持研磨后的半导体基片，所述半导体基片具有正面和背面；第一滚刷和第二滚刷，分别设置于所述半导体基片的正面侧和背面侧；第一滚刷清洁模块，包括酸液供给槽和进液口连接所述酸液供给槽的第一喷淋管路，所述第一喷淋管路的喷液方向朝向所述第一滚刷和所述第二滚刷；第二滚刷清洁模块，包括碱液供给槽和进液口连接所述碱液供给槽的第二喷淋管路，所述第二喷淋管路的喷液方向朝向所述第一滚刷和所述第二滚刷。2.如权利要求1所述的研磨后清洗装置，其特征在于，所述研磨后清洗装置还包括：第三滚刷清洁模块，包括去离子水喷头，所述去离子水喷头朝向所述第一滚刷和所述第二滚刷。3.如权利要求1所述的研磨后清洗装置，其特征在于，所述第一喷淋管路和所述第二喷淋管路中的一个的出液口位于所述半导体基片的正面侧，另一个的出液口位于所述半导体基片的背面侧；或者，所述第一喷淋管路和所述第二喷淋管路的出液口位于所述半导体基片的同一侧。4.如权利要求1所述的研磨后清洗装置，其特征在于，所述第一喷淋管路和所述第二喷淋管路中的至少一个具有两个出液口，所述两个出液口分别朝向所述第一滚刷...

【专利技术属性】
技术研发人员：李武祥，金文祥，朱冬祥，程建秀，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：