声表面波谐振器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。本发明专利技术还公开了声表面波谐振器的制造方法。本发明专利技术可消减横向模式。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器及其制造方法
本申请属于滤波器
，具体涉及声表面波
尤其涉及一种声表面波谐振器及其制造方法。
技术介绍
SAW(surfaceacousticwave)又称为声表面波，是在压电基片材料表面产生并传播，且振幅随着深入基片材料的深度增加而迅速减少的一种弹性波。SAW谐振器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作的叉指换能器(InterdigitalTransducer，IDT)。但专利技术人认为SAW相关技术中存在不足，声表面波谐振器中存在强烈的横向模式，反应在谐振器性能上，会使通带间出现剧烈的波动，对谐振器的性能造成不利影响。
技术实现思路
针对相关技术中所存在的不足，本专利技术提供了一种能够一定程度上消减有害的横向模式的声表面波谐振器及其制造方法。声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。一种实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，其特征在于：所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。/n

【技术特征摘要】
1.声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，其特征在于：所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。


2.如权利要求1所述的抑制有害模式的声表面波谐振器，其特征在于：
所述减速层是沿纵向不连续分布的金属层。


3.如权利要求2所述的抑制有害模式的声表面波谐振器，其特征在于：
所述金属层采用Cu、Al、Au、Pt中的任一种金属，或由其中至少任意两种金属组合的合金。


4.如权利要求2所述的抑制有害模式的声表面波谐振器，其特征在于：
所述减速层被所述电极完全覆盖。


5.如权利要求1所述的抑制有害模式的声表面波谐振器，其特征在于：
所述减速层是沿纵向设置的介电层。

【专利技术属性】
技术研发人员：郑根林，张树民，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33