制造经密封的功能组件的方法技术

技术编号:28568496 阅读:26 留言:0更新日期:2021-05-25 18:06
本发明专利技术涉及一种制造多个特别是气密密封的功能组件的方法,具有下列步骤:提供具有多个功能组件的第一晶圆,提供第二晶圆,将形式为多个框架结构的密封材料施覆至该第二晶圆的第一表面上,将第二晶圆安置至第一晶圆上或将第一晶圆安置至第二晶圆上,将第一晶圆与第二晶圆接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造经密封的功能组件的方法
本公开内容有关于一种制造经密封的功能组件的方法。本公开内容还有关于一种经密封的功能组件。
技术实现思路
优选实施方式涉及具有下列步骤的制造多个特别是气密密封的功能组件的方法:提供具有多个功能组件的第一晶圆,提供第二晶圆,将形式为多个框架结构的密封材料施覆至该第二晶圆的第一表面上,将第二晶圆安置至第一晶圆上或将第一晶圆安置至第二晶圆上,将第一晶圆与第二晶圆接合。藉此能够在晶圆级上高效地制造多个经密封的功能组件。优选地,「经气密密封」指功能组件的气密密封,尤其指在诸如23℃的标准条件下的气密密封。尤佳地,在应用条件下,即在自-40℃至+125℃的温度范围内实现气密密封。由此,在其他优选实施方式中有利地确保:在相关功能组件的内腔与相关功能组件的周围环境之间无法发生物质(特别是粒子或固体,以及气体)的交换。藉此特别是能够使功能组件的内腔免受干扰因素影响,否则此等干扰因素可能对功能组件的功能造成干扰。在其他优选实施方式中,所述功能组件中的若干、优选所有皆为表面波(SAW)功能组件,其中功能组件特别是设于第一晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造多个特别是气密密封的功能组件的方法,具有下列步骤:提供具有多个功能组件的第一晶圆,提供第二晶圆,将形式为多个框架结构的密封材料施覆至该第二晶圆的第一表面上,将该第二晶圆安置至该第一晶圆上或将该第一晶圆安置至该第二晶圆上,将该第一晶圆与该第二晶圆接合,其中该方法还包括:在该安置前,在彼此相邻的框架结构之间将材料自该第二晶圆的该第一表面移除,直至达到可预定的第一深度,该深度小于该第二晶圆的厚度的80百分比。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190801 DE 102019120844.01.一种制造多个特别是气密密封的功能组件的方法,具有下列步骤:提供具有多个功能组件的第一晶圆,提供第二晶圆,将形式为多个框架结构的密封材料施覆至该第二晶圆的第一表面上,将该第二晶圆安置至该第一晶圆上或将该第一晶圆安置至该第二晶圆上,将该第一晶圆与该第二晶圆接合,其中该方法还包括:在该安置前,在彼此相邻的框架结构之间将材料自该第二晶圆的该第一表面移除,直至达到可预定的第一深度,该深度小于该第二晶圆的厚度的80百分比。


2.根据权利要求1的方法,其中,所述功能组件中的若干、优选所有皆为表面波(SAW)功能组件,其中所述功能组件特别是设于该第一晶圆的第一表面上。


3.根据权利要求1或2所述的方法,其中在该安置后,至少一个框架结构将所述多个功能组件中的至少一个功能组件包围。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在该安置后,多个框架结构分别至少将可预定的第一数目的功能组件包围。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中在该安置后,多个框架结构分别将正好为可预设的第二数目的功能组件包围,其中该第二数目特别是小于等于四,其中该第二数目特别是正好为一。


6.根据权利要求5所述的方法,其中所述多个框架结构中的超过50百分比分别正好将该第二数目的功能组件包围,其中,所述多个框架结构中的特别是超过90百分比分别正好将该第二数目的功能组件包围。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中至少所述框架结构中的若干、优选框架结构中的所有皆具有介于1.0微米(μm)与30μm之间、特别是介于2.5μm与20μm之间、进一步特别是介于5μm与15μm之间、优选特别是约为10μm的高度。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中形式为所述多个框架结构的该密封材料的施覆包括:以具有数列及数行的矩阵状布局施覆所述多个框架结构。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中形式为所述多个框架结构的该密封材料的施覆包括:所述多个框架结构经施覆以使得至少所述相邻的框架结构在该第二晶圆的该第一表面上的、特别是沿第一坐标轴视之的第一距离等于所述相邻的功能组件在该第一晶圆上的对应的第二距离,其中形式为所述多个框架结构的密封材料的施覆特别是包括:所述多个框架结构经施覆以使得所述相邻的框架结构在该第二晶圆的该第一表面上的、特别是沿第一坐标轴视之的第一距离等于所述相邻的功能组件在该第一晶圆上的对应的第二距离,且相邻的框架结构在第二晶圆的该第一表面上的、特别是沿垂直于该第一坐标轴的第二坐标轴视之的第三距离等于相邻的功能组件在该第一晶圆上的对应的第四距离。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中至少所述框架结构中的若干、优选框架结构中的所有皆具有实质上为多边形的基本形状,特别是矩形或正方形。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中该密封材料的施覆通过网板印刷法进行。


12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中玻璃焊料用作该密封材料。


13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法,其中该方法还包括:对该第二晶圆实施热处理,在该第二晶圆上施覆有形式为多个框架结构的密封材料,其中该热处理特别是具有可预定的温度曲线。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:恩斯特·哈德尔迈克尔·厄尔默托拜厄斯·埃克特凯·措施克
申请(专利权)人:霍斯特·西德勒两合公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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