复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法技术

本公开的复合基板是压电基板与蓝宝石基板被直接接合的复合基板，在所述蓝宝石基板的接合面具有台阶群构造。本公开的压电元件具备所述复合基板。本公开的复合基板的制造方法具备：准备工序，准备压电基板、以及具备相对于特定的结晶面而具有规定的偏离角的表面的蓝宝石基板；热处理工序，在氧化环境中对所述蓝宝石基板进行热处理，从而在该蓝宝石基板的所述表面形成台阶群；以及接合工序，将所述压电基板与所述蓝宝石基板的所述表面直接接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法
本公开涉及将压电基板与支承基板接合的构造的复合基板、具备该复合基板的压电元件以及复合基板的制造方法。
技术介绍
近年来，要求便携电话等通信设备中使用的弹性表面波元件等的压电元件的小型化、高性能化。作为小型且高性能的压电元件，提出了在将压电基板与支承基板接合的复合基板的压电基板上形成有元件电极的结构的压电元件。作为支承基板，使用各种材料。其中尤以蓝宝石在机械强度、绝缘性、散热性方面更为优异，作为支承基板特别合适。在复合基板中，因压电基板与支承基板的接合界面处的体波的反射引起的杂散成为问题。为了解决该问题，专利文献1中公开了通过研磨加工而使支承层表面粗糙化的层叠压电基板。专利文献2中记载了：将通过湿式蚀刻而形成有金字塔形状的凹凸构造的硅基板用作为支承基板。但是，在研磨加工等的机械性粗糙化处理中，通过加工而形成包含残留应力、结晶缺陷的加工变质层。加工变质层存在容易成为接合强度下降的原因的趋势。硅的各向异性蚀刻由于结晶方位的差异引起的速率差大，出现均匀且整齐的金字塔状的凹凸。但是，蓝宝石的各向异本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合基板，其是通过压电基板与蓝宝石基板被直接接合而成的，/n在所述蓝宝石基板的与所述压电基板的接合面具有台阶群。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180906 JP 2018-1670721.一种复合基板，其是通过压电基板与蓝宝石基板被直接接合而成的，
在所述蓝宝石基板的与所述压电基板的接合面具有台阶群。


2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，
在所述接合面，将所述台阶群大致垂直地横切的方向的线粗糙度曲线中的算术平均粗糙度Ra为0.05～2.0nm。


3.根据权利要求1或者2所述的复合基板，其中，
所述台阶群的各台阶的宽度为50nm～2μm，高度为0.2nm～10nm。


4.根据权利要求1至3的任意一项所述的复合基板，其中，
所述接合面相对于c面、a面、m面、或者r面的偏离角为2°以下。


5.根据权利要求1至4的任意一项所述的复合基板，其中，
所述接合面的X射线摇摆...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅原干裕，光田国文，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP