测试EEPROM的电路及其测试方法技术

本发明专利技术涉及一种测试ＥＥＰＲＯＭ的电路及其测试方法，本发明专利技术的电路包括ＥＥＰＲＯＭ（１），微控制器（２），显示驱动器（３），数码显示器（４）；所述的微控制器（２）与ＥＥＰＲＯＭ（１）双向连接，显示驱动器（３）在微控制器（２）控制下驱动所述的数码显示器（４），数码显示器（４）将老化结果显示或者错误代码输出；本发明专利技术的有益效果是：通过测试并检测ＥＥＰＲＯＭ真正的擦写寿命，保证了ＩＣ卡的安全使用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路卡领域，尤其涉及一种测试EEPROM的电路及其测试方法。
技术介绍
存储器是集成电路(IC)卡的主要部件之一，对存储器的基本要求是高精度、大容量、低功耗。存储器按功能可以分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。只读存储器可分为两大类，一是掩膜编程ROM，另一类是可编程ROM。可编程ROM可分为PROM，EPROM，EEPROM。PROM(可编程ROM)用户可根据需要把熔丝烧断来完成编程工作(即把信息写入到存储器中)，一旦编程完毕，就无法再更改，故用户只可编程一次EPROM为紫外可擦除电可编程ROM；此类ROM存储单元中存储信息的管子采用浮栅结构，利用浮栅上有无电荷来存储信息，当需要重新编程时，可先用紫外线把原存的信息一次全部擦除，再根据需要编入新的内容，可反复编程，EPROM不可逐字擦除所存内容，擦除需要紫外光，且擦除时间长，使用不便EEPROM为电可擦除电可编程ROM。在这3种类型中，EEPROM采用了浮栅隧道氧化物结构，它利用隧道效应来实现信息的存储和擦除。它可以在无须附加电压的条件下实现逐字的擦和写。具有擦写方便、迅速的特点，因此得到了广泛的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试ＥＥＰＲＯＭ的电路，包括ＥＥＰＲＯＭ（１），其特征在于：还包括微控制器（２），显示驱动器（３），数码显示器（４）；所述的微控制器（２）与ＥＥＰＲＯＭ（１）双向连接，显示驱动器（３）在微控制器（２）控制下驱动所述的数码显示器（４），数码显示器（４）将老化结果显示或者错误代码输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王立辉，陈桂岭，印义言，
申请(专利权)人：上海华园微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]