一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法技术

本发明专利技术涉及一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法，包括基板衬底、薄膜晶体管、显示区、触控区、跨桥电极、通孔和导电元件；显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，导电元件的第一端与触控区的导电电极连接，导电元件的第二端与跨桥电极连接，通过在显示区中设置跨桥电极、在显示区与触控区之间开设通孔，在通孔中设置导电元件，导电元件和跨桥电极用于连接触控区的导电电极实现触控功能；通过设置通孔、跨桥电极与导电元件实现显示区与触控区的集成，能够减小其厚度和降低其制作成本，通过部分刻蚀触控区导电材料降低触控区导电电极与绝缘层之间的透射率与雾度差异，实现触控区中的触控图案与导电电极的走线消影的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法
本专利技术涉及显示触控
，尤其涉及一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法。
技术介绍
现有显示触控的触控结构一般从下到上依次设置的基板衬底、薄膜晶体管TFT、显示层、触控层这四部分层层堆叠，之后在触控层中再增加一层消影层。此类的触控结构在制作过程中需要将显示层中增加触控层，由此会增加触控结构的厚度，现有显示触控的触控结构消影层的设计额外增加了制作成本以及其厚度。因此，现有显示触控的触控结构存在厚度大、制作成本高、难以消影的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法，用于解决现有显示触控的触控结构存在厚度大、制作成本高、难以消影的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包括跨桥电极、通孔以及设置在所述通孔中的导电元件，所述导电元件的第一端与所述触控区的导电电极连接，所述导电元件的第二端与所述跨桥电极连接。优选地，所述触控区包括第一导电电极和第二导电电极，所述第一导电电极或所述第二导电电极上设置有两个断开连接的第一次级导电电极和第二次级导电电极，所述导电元件的第一端与所述第一导电电极或所述第二导电电极连接，所述第一次级导电电极通过所述跨桥电极、所述导电元件与所述第二次级导电电极连接。优选地，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极下方的两侧开设有两个所述通孔，一个所述通孔设置在所述第一次级导电电极上，另一个所述通孔设置在所述第二次级导电电极上。优选地，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极的下方开设有所述通孔。优选地，所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阴极电极；或所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阳极电极；或所述跨桥电极与所述显示元件共用所述阳极电极。优选地，所述阳极电极、所述阴极电极和所述导电电极均为ITO、FTO、PEDOT:PSS、金属、石墨烯、碳纳米管、导电液体中一种或多种的导电材料。优选地，所述显示元件为OLED、microLED、miniLED、量子点LED中一种或多种的显示器件。本专利技术还提供一种超薄单基板显示结构的透明导电膜制备方法，基于上述所述的超薄单基板显示结构的透明导电膜制备方法包括以下步骤：S1.在超薄单基板显示结构的显示区上涂抹一层纳米银电极，在所述纳米银电极的表面贴附一层图形化的薄膜；S2.采用刻蚀方法对所述薄膜进行部分刻蚀，得到部分刻蚀的导电区和未被刻蚀的绝缘区；S3.采用刻蚀方法去除所述绝缘区中的所述薄膜，得到透明导电膜。优选地，在步骤S2中，采用刻蚀方法对所述薄膜进行部分刻蚀，得到部分刻蚀的导电区的步骤包括：采用等离子体的刻蚀方法对所述薄膜进行部分刻蚀，其中，在离子体的刻蚀方法的氧化过程中的功率为100mw、流速为120sccm、轰击时间5min；在等离子体的刻蚀方法中对部分刻蚀的所述薄膜采用丙基醚去除所述薄膜的PMMA，得到所述导电区。优选地，在步骤S2和步骤S3中，所述刻蚀方法为plasma、溶液法刻蚀、UVO-Zone、高湿刻蚀、热刻蚀、激光刻蚀中一种或多种的刻蚀方法。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：该超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法通过在显示区中设置跨桥电极、在显示区与触控区之间开设通孔，在通孔中设置导电元件，导电元件和跨桥电极用于连接触控区的导电电极实现触控功能，在显示区上设置阳极触控电极、显示元件、阴极触控电极和绝缘层，并通过设置通孔、跨桥电极与导电元件实现显示区域与触控区的集成，能够减小其厚度和降低其制作成本。基于该超薄单基板显示结构对触控区的进行部分蚀刻触控区导电材料降低了触控区导电电极与绝缘层之间的透射率与雾度差异，实现触控区中的触控图案与导电电极的走线消影的效果，解决了现有显示触控的触控结构存在厚度大、制作成本高、难以消影的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的剖视结构示意图。图2为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的结构示意图。图3a为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的剖视结构示意图。图3b为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的又一结构示意图。图4为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的另一剖视结构示意图。图5为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的另一剖视结构示意图。图6为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的透明导电膜制备方法的步骤流程图。图7a为本专利技术实施例所述的超薄单基板显示结构的透明导电膜制备方法得到透明导电膜的示意图。图7b为现有触控显示结构的导电膜的示意图。具体实施方式为使得本专利技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。本申请实施例提供了一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法，用于解决了现有显示触控的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，其特征在于，所述显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包括跨桥电极、通孔以及设置在所述通孔中的导电元件，所述导电元件的第一端与所述触控区的导电电极连接，所述导电元件的第二端与所述跨桥电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，其特征在于，所述显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包括跨桥电极、通孔以及设置在所述通孔中的导电元件，所述导电元件的第一端与所述触控区的导电电极连接，所述导电元件的第二端与所述跨桥电极连接。


2.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，所述触控区包括第一导电电极和第二导电电极，所述第一导电电极或所述第二导电电极上设置有两个断开连接的第一次级导电电极和第二次级导电电极，所述导电元件的第一端与所述第一导电电极或所述第二导电电极连接，所述第一次级导电电极通过所述跨桥电极、所述导电元件与所述第二次级导电电极连接。


3.根据权利要求2所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极下方的两侧开设有两个所述通孔，一个所述通孔设置在所述第一次级导电电极上，另一个所述通孔设置在所述第二次级导电电极上。


4.根据权利要求2所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极的下方开设有所述通孔。


5.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阴极电极；或所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阳极电极；或所述跨桥电极与所述显示元件共用所述阳极电极。


6.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏儒，龚又又，罗青云，杨明阳，吴梓毅，陈俊伟，钟敏，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44