一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法技术

本发明专利技术涉及一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法，包括基板衬底、薄膜晶体管、显示区、触控区、跨桥电极、通孔和导电元件；显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，导电元件的第一端与触控区的导电电极连接，导电元件的第二端与跨桥电极连接，通过在显示区中设置跨桥电极、在显示区与触控区之间开设通孔，在通孔中设置导电元件，导电元件和跨桥电极用于连接触控区的导电电极实现触控功能；通过设置通孔、跨桥电极与导电元件实现显示区与触控区的集成，能够减小其厚度和降低其制作成本，通过部分刻蚀触控区导电材料降低触控区导电电极与绝缘层之间的透射率与雾度差异，实现触控区中的触控图案与导电电极的走线消影的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法
本专利技术涉及显示触控
，尤其涉及一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法。
技术介绍
现有显示触控的触控结构一般从下到上依次设置的基板衬底、薄膜晶体管TFT、显示层、触控层这四部分层层堆叠，之后在触控层中再增加一层消影层。此类的触控结构在制作过程中需要将显示层中增加触控层，由此会增加触控结构的厚度，现有显示触控的触控结构消影层的设计额外增加了制作成本以及其厚度。因此，现有显示触控的触控结构存在厚度大、制作成本高、难以消影的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种超薄单基板显示结构及其透明导电膜制备方法，用于解决现有显示触控的触控结构存在厚度大、制作成本高、难以消影的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，其特征在于，所述显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包括跨桥电极、通孔以及设置在所述通孔中的导电元件，所述导电元件的第一端与所述触控区的导电电极连接，所述导电元件的第二端与所述跨桥电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄单基板显示结构，包括基板衬底、设置在所述基板衬底上方的薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上方的显示区和设置在所述显示区上方的触控区，其特征在于，所述显示区上设置有阳极电极、显示元件、阴极电极和绝缘层，所述显示元件设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间；所述超薄单基板显示结构还包括跨桥电极、通孔以及设置在所述通孔中的导电元件，所述导电元件的第一端与所述触控区的导电电极连接，所述导电元件的第二端与所述跨桥电极连接。


2.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，所述触控区包括第一导电电极和第二导电电极，所述第一导电电极或所述第二导电电极上设置有两个断开连接的第一次级导电电极和第二次级导电电极，所述导电元件的第一端与所述第一导电电极或所述第二导电电极连接，所述第一次级导电电极通过所述跨桥电极、所述导电元件与所述第二次级导电电极连接。


3.根据权利要求2所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极下方的两侧开设有两个所述通孔，一个所述通孔设置在所述第一次级导电电极上，另一个所述通孔设置在所述第二次级导电电极上。


4.根据权利要求2所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，位于所述第一导电电极或所述第二导电电极的下方开设有所述通孔。


5.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结构，其特征在于，所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阴极电极；或所述跨桥电极为所述显示区边缘的所述阳极电极；或所述跨桥电极与所述显示元件共用所述阳极电极。


6.根据权利要求1所述的超薄单基板显示结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏儒，龚又又，罗青云，杨明阳，吴梓毅，陈俊伟，钟敏，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44