一种AlN薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N

【技术实现步骤摘要】
一种AlN薄膜的制备方法
本专利技术涉及电子信息功能材料
，具体涉及一种AlN薄膜的制备方法。
技术介绍
氮化铝(AlN)是Ⅲ-V族化合物，通常的结构为六方晶系中的纤锌矿结构。AlN薄膜具有许多优异性能，比如说高的热传导率、优异的化学稳定性和低毒害性、良好的光学性能，直接带隙宽禁带结构高绝缘性、低热膨胀系数、高的介质击穿强度、机械强度高等优点，使其在机械、微电子、光学及电子元器件、高频宽带通信和功率半导体器件等领域有着广阔的应用前景。在AlN的晶胞结构中，Al原子有三个半满和一个空轨道，而N原子有一个全满轨道和三个半满轨道，Al原子和N原子都能形成四个sp3杂化轨道。B1键是由Al原子的半满轨道和N原子的半满轨道形成的，B2键则是由Al原子的空轨道和N原子的满轨道形成的。因而B2键的离子成分大，且其键长比B1键长，键能比B1键小，更易断裂，所以C轴方向沉积所需溅射粒子能量要求高。(100)晶面由B1键组成，而(002)和(101)晶面是由B1键和B2键共同组成，因此要形成(002)晶面取向需要更高的能量，即在高能量沉积状态下更倾向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n(1)对(100)取向的Si衬底进行清洗；/n(2)采用Mo靶材，利用磁控溅射工艺在经步骤(1)得到的Si衬底上沉积Mo过渡层，具体工艺参数如下：溅射功率60-140W，靶基距为7-15cm，氩气流量10-60sccm，溅射气压0.5Pa-1.5Pa，溅射时间5-60min；/n(3)采用Al靶材，利用磁控溅射工艺在Mo过渡层上沉积AlN，具体工艺参数如下：真空度为6*10

【技术特征摘要】
1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
(1)对(100)取向的Si衬底进行清洗；
(2)采用Mo靶材，利用磁控溅射工艺在经步骤(1)得到的Si衬底上沉积Mo过渡层，具体工艺参数如下：溅射功率60-140W，靶基距为7-15cm，氩气流量10-60sccm，溅射气压0.5Pa-1.5Pa，溅射时间5-60min；
(3)采用Al靶材，利用磁控溅射工艺在Mo过渡层上沉积AlN，具体工艺参数如下：真空度为6*10-5Pa，溅射功率100-200W，靶基距为7-15cm，以氩气和氮气的混合气作为溅射气体，其中混合气流量为10-60sccm，氮气含量12.5％-85％，溅射气压0.1Pa-1.2Pa，溅射时间60-2000min，Si衬底温度200-400℃。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁晓平，门阔，刘皓，连紫薇，魏峰，李洋，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11