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本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N...
该专利属于有研工程技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研工程技术研究院有限公司授权不得商用。

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