一种交流稳压器可控硅模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种交流稳压器可控硅模块，包括第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4；第一单向可控硅S1的阴极端与第二单向可控硅S2的阳极端且与所述第三单向可控硅S3的阴极端且与所述第四单向可控硅S4的阳极端连接，并引出电极端子A2A4K1K3，所述第一单向可控硅S1的阳极端与所述第二单向可控硅S2的阴极端连接，并引出输入端，所述第三单向可控硅S3的阳极端与第四单向可控硅S4的阴极端连接，并引出输出端。本实用新型专利技术采用一个模块代替原来的四个模块或两个模块，连接简单，工艺美观。

【技术实现步骤摘要】
一种交流稳压器可控硅模块
本技术涉及稳压器领域，尤其涉及一种交流稳压器可控硅模块。
技术介绍
随着工业的不但发展，电网的质量难以适应用电设备的不断发展。例如会出现各种电压不稳定等电网故障情况，造成用电设备的瞬间保护，工件损坏，数据丢失。为得到高质量的交流电源，需要交流稳压器等电源来保障用电设备的可靠运行，但都有各自的缺点。目前的交流稳压器氛围两种：一种是碳刷补偿式稳压器，另一种是无触点可控硅交流稳压器。但碳刷式稳压器需要更换碳刷，维护频繁，目前的可控硅交流稳压器解决了碳刷的问题，但可控硅模块数量多，连接复杂，工艺不好控制。现有的可控硅模块连接图如图1所示。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本技术以便提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种交流稳压器可控硅模块。根据本技术的一个方面，提供了一种交流稳压器可控硅模块，包括第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4；第一单向可控硅S1的阴极端与第二单向可控硅S2的阳极端且与所述第三单向可控硅S3的阴极端且与所述第四单向可控硅S4的阳极端连接，并引出电极端子A2A4K1K3，所述第一单向可控硅S1的阳极端与所述第二单向可控硅S2的阴极端连接，并引出输入端，所述第三单向可控硅S3的阳极端与第四单向可控硅S4的阴极端连接，并引出输出端。在一种可能的实施方式中，还包括外壳，所述外壳包裹第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有A2A4K1K3端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阴极端、第二单向可控硅S2的阳极端、第三单向可控硅S3的阴极端和第一单向可控硅S4的阳极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有A1K2端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阳极端和第二单向可控硅S2的阴极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有A3K4端口，通过导线与第三单向可控硅S3的阳极端和第四单向可控硅S4的阴极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有G1端口，通过导线与第一单向可控硅S1的控制端连接，所述外壳上设置有K1端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阴极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有G2端口，通过导线与第二单向可控硅S2的控制端连接，所述外壳上设置有K2端口，通过导线与第二单向可控硅S2的阴极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有G3端口，通过导线与第三单向可控硅S3的控制端连接，所述外壳上设置有K3端口，通过导线与第三单向可控硅S3的阴极端连接。在一种可能的实施方式中，所述外壳上设置有G4端口，通过导线与第四单向可控硅S4的控制端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有K4端口，通过导线与第四单向可控硅S4的阴极端连接。本技术采用一个模块代替原来的四个模块或两个模块，连接简单，工艺美观。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有技术的可控硅模块的连接示意图；图2为本技术实施例提供的一种交流稳压器可控硅模块的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种交流稳压器可控硅模块的主视图；图4为本技术实施例提供的一种交流稳压器可控硅模块的俯视图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。本技术的说明书实施例和权利要求书及附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元。下面结合附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。如图2-4，本技术实施例提供一种交流稳压器可控硅模块，包括第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4。第一单向可控硅S1的阴极端与第二单向可控硅S2的阳极端且与所述第三单向可控硅S3的阴极端且与所述第四单向可控硅S4的阳极端连接，并引出电极端子A2A4K1K3，所述第一单向可控硅S1的阳极端与所述第二单向可控硅S2的阴极端连接，并引出输入端，所述第三单向可控硅S3的阳极端与第四单向可控硅S4的阴极端连接，并引出输出端。在交流电的正半周时，在第一单向可控硅S1的控制端和阴极端之间，以及第四单向可控硅S4的G4控制端和阴极端之间施加正电压，S1和S4导通。在交流电的负半周时，在第二单向可控硅S2的控制端和阴极端之间，以及第三单向可控硅S3的控制端和阴极端之间施加正电压，S2和S3导通。但第一单向可控硅S1和第四单向可控硅S4不能同时导通，第二单向可控硅S2和第三单向可控硅S3不能同时导通，故需要在施加触发电压信号时必须是互补信号。在一个示例中，所述交流稳压器可控硅模块还包括外壳，所述外壳包裹第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4。在一个示例中，所述外壳上设置有A2A4K1K3端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阴极端、第二单向可控硅S2的阳极端、第三单向可控硅S3的阴极端和第一单向可控硅S4的阳极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有A1K2端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阳极端和第二单向可控硅S2的阴极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有A3K4端口，通过导线与第三单向可控硅S3的阳极端和第四单向可控硅S4的阴极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有G1端口，通过导线与第一单向可控硅S1的控制端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有K1端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阴极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有G2端口，通过导线与第二单向可控硅S2的控制端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有K2端口，通过导线与第二单向可控硅S2的阴极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有G3端口，通过导线与第三单向可控硅S3的控制端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有K3端口，通过导线与第三单向可控硅S3的阴极端连接。在一个示例中，所述外壳上设置有G4端口，通过导线与第四单向可控硅S4的控制端连接。在一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交流稳压器可控硅模块，其特征在于，包括第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4；/n第一单向可控硅S1的阴极端与第二单向可控硅S2的阳极端且与所述第三单向可控硅S3的阴极端且与所述第四单向可控硅S4的阳极端连接，并引出电极端子A2A4K1K3，所述第一单向可控硅S1的阳极端与所述第二单向可控硅S2的阴极端连接，并引出输入端，所述第三单向可控硅S3的阳极端与第四单向可控硅S4的阴极端连接，并引出输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种交流稳压器可控硅模块，其特征在于，包括第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4；
第一单向可控硅S1的阴极端与第二单向可控硅S2的阳极端且与所述第三单向可控硅S3的阴极端且与所述第四单向可控硅S4的阳极端连接，并引出电极端子A2A4K1K3，所述第一单向可控硅S1的阳极端与所述第二单向可控硅S2的阴极端连接，并引出输入端，所述第三单向可控硅S3的阳极端与第四单向可控硅S4的阴极端连接，并引出输出端。


2.根据权利要求1所述的交流稳压器可控硅模块，其特征在于，还包括外壳，所述外壳包裹第一单向可控硅S1、第二单向可控硅S2、第三单向可控硅S3和第四单向可控硅S4。


3.根据权利要求2所述的交流稳压器可控硅模块，其特征在于，所述外壳上设置有A2A4K1K3端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阴极端、第二单向可控硅S2的阳极端、第三单向可控硅S3的阴极端和第一单向可控硅S4的阳极端连接。


4.根据权利要求2所述的交流稳压器可控硅模块，其特征在于，所述外壳上设置有A1K2端口，通过导线与第一单向可控硅S1的阳极端和第二单向可控硅S2的阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓正兵，
申请(专利权)人：诺易电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32