一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，涉及交流稳压器技术领域，包括无触点交流稳压电路、二极管Z1以及二极管Z2；二极管Z1与二极管Z2分别与无触点交流稳压电路的继电器KV并联；通过此种设计避免在继电器KV失效时，可控硅SCR1、SCR2被击穿，变压器烧毁的现象。变压器烧毁的现象。变压器烧毁的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器


[0001]本技术涉及交流稳压器
，具体为一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器。

技术介绍

[0002]随着工业的不但发展，电网的质量难以适应用电设备的不断发展，为得到高质量的交流电源，世面上出现了不少稳压电源，但都有不同的缺陷。如：近几年发展出来的“无触点交流稳压器”，该产品面世以来解决了以往机械式稳压器的笨重、响应速度慢、需要定期维护等缺点，但由于该产品的技术复杂，需要解决变压器开路造成的可控硅过压击穿，变压器烧毁的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，本技术当无触点交流稳压电路的继电器KV失效，可控硅SCR1以及可控硅SCR2无法导通，变压器T的负荷侧产生高电压时，通过二极管Z1以及二极管Z2代替继电器KV，将变压器T负荷侧E1端与E2端之间的电压限制在可控硅SCR1以及可控硅SCR2的击穿电压下，避免可控硅SCR1、SCR2击穿，变压器烧毁的现象。
[0004]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0005]一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，所述无触点交流稳压器包括无触点交流稳压电路、二极管Z1以及二极管Z2；
[0006]所述二极管Z1与二极管Z2分别与无触点交流稳压电路的继电器KV并联。
[0007]进一步的，所述无触点交流稳压电路包括可控硅SCR1导通电路、可控硅SCR2导通电路以及变压器T。
[0008]进一步的，所述SCR1导通电路包括二极管D2、电阻R1、可控硅SCR1以及继电器KV，所述可控硅SCR1的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述可控硅SCR1的阴极K1与变压器T负荷侧的E2端连接；所述二极管D2的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述二极管D2的阴极与继电器KV一端连接，所述继电器KV的另一端电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端与变压器T负荷侧的E2端连接；所述继电器KV与电阻R1连接的一端还与可控硅SCR1的门极G1连接。
[0009]进一步的，所述可控硅SCR2导通电路包括二极管D1、电阻R2以及可控硅SCR2；所述可控硅SCR2的阳极与变压器T负荷侧的E2端连接，所述可控硅SCR2的阴极K2与变压器T负荷侧的E1端连接；所述二极管D1的阳极与变压器T负荷侧的E2端连接，所述二极管D1的阴极与继电器KV一端连接，所述继电器KV的另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2的另一端与变压器T负荷侧的E1端连接；所述继电器KV与电阻R2连接的一端还与可控硅SCR2的门极G2连接。
[0010]进一步的，所述二极管Z1的阳极与电阻R2连接，所述二极管Z1的阴极与电阻R1连
接，所述二极管Z2的阳极与电阻R1连接，所述二极管Z2的阴极与电阻R2连接。
[0011]进一步的，所述变压器T的电源侧与电源N连接。
[0012]进一步的，所述变压器T的电源侧与电源N之间串联有负载。
[0013]进一步的，所述二极管Z1以及二极管Z2采用稳压二极管，所述二极管Z1与二极管Z2的导通电压等于可控硅SCR1以及可控硅SCR2的击穿电压。
[0014]本专利技术的有益效果是：
[0015]本申请通过设置二极管Z1以及二极管Z2与继电器KV并联，当无触点交流稳压电路内的继电器KV失效时，代替继电器KV启动无触点交流稳压电路内的可控硅SCR1以及可控硅SCR2，避免可控硅SCR1、SCR2击穿，变压器烧毁的现象。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术专利的电路连接图；
具体实施方式
[0018]下面结合本技术的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施都在本技术的保护范围内。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“逆时针”、“顺时针”“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0020]一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，所述无触点交流稳压器包括无触点交流稳压电路、二极管Z1以及二极管Z2；
[0021]所述二极管Z1与二极管Z2分别与无触点交流稳压电路的继电器KV并联。
[0022]进一步的，所述无触点交流稳压电路包括可控硅SCR1导通电路、可控硅SCR2导通电路以及变压器T。
[0023]进一步的，所述SCR1导通电路包括二极管D2、电阻R1、可控硅SCR1以及继电器KV，所述可控硅SCR1的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述可控硅SCR1的阴极K1与变压器T负荷侧的E2端连接；所述二极管D2的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述二极管D2的阴极与继电器KV一端连接，所述继电器KV的另一端电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端与变压器T负荷侧的E2端连接；所述继电器KV与电阻R1连接的一端还与可控硅SCR1的门极G1连接；
[0024]具体的，如附图1所示，在继电器KV正常工作时，变压器T负荷侧的E1端的正半周电
流经E1端出来，经过二极管D2的阳极，再经过继电器KV分别到达可控硅SCR1的门极G1处，以及经过电阻R1回到变压器T的负荷侧E2端形成回路，此时电阻R1与可控硅SCR1的门极G1产生压差，到达可控硅SCR1的门极G1处的电流经过可控硅SCR1的阴极K1回到变压器T的负荷侧E2端形成回路，可控硅SCR1导通，从变压器T负荷侧的E1端出来的电流通过可控硅SCR1的阳极，再经过可控硅SCR1的阴极K1回到变压器T的负荷侧E2端形成可控硅SCR1的导通回路。
[0025]进一步的，所述可控硅SCR2导通电路包括二极管D1、电阻R2以及可控硅SCR2；所述可控硅SCR2的阳极与变压器T负荷侧的E2端连接，所述可控硅SCR2的阴极K2与变压器T负荷侧的E1端连接；所述二极管D1的阳极与变压器T负荷侧的E2端连接，所述二极管D1的阴极与继电器KV一端连接，所述继电器KV的另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2的另一端与变压器T负荷侧的E1端连接；所述继电器KV与电阻R2连接的一端还与可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，其特征在于，所述无触点交流稳压器包括无触点交流稳压电路、二极管Z1以及二极管Z2；所述二极管Z1与二极管Z2分别与无触点交流稳压电路的继电器KV并联。2.根据权利要求1所述的一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，其特征在于，所述无触点交流稳压电路包括可控硅SCR1导通电路、可控硅SCR2导通电路以及变压器T。3.根据权利要求2所述的一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，其特征在于，所述SCR1导通电路包括二极管D2、电阻R1、可控硅SCR1以及继电器KV，所述可控硅SCR1的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述可控硅SCR1的阴极K1与变压器T负荷侧的E2端连接；所述二极管D2的阳极与变压器T负荷侧的E1端连接，所述二极管D2的阴极与继电器KV一端连接，所述继电器KV的另一端电阻R1一端连接，所述电阻R1的另一端与变压器T负荷侧的E2端连接；所述继电器KV与电阻R1连接的一端还与可控硅SCR1的门极G1连接。4.根据权利要求3所述的一种具备变压器开路可控硅自动导通的无触点交流稳压器，其特征在于，所述可控硅SCR2导通电路包括二极管D1、电阻R2以及可控硅SCR2；所述可控硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓正兵，鲁伟，高雪峰，王军，赵赛，汪帅，
申请(专利权)人：诺易电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：