一种不间断电源静态旁路开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种不间断电源静态旁路开关，涉及不间断电源技术领域，包括L1相电路、L2相电路以及L3相电路；所述L1相电路、L2相电路以及L3相电路均包括旁路电路以及逆变电路；所述旁路电路包括第一IGBT以及第二IGBT，所述第一IGBT以及第二IGBT的共用一个发射极；所述逆变电路包括第一可控硅以及第二可控硅，所述第一可控硅以及第二可控硅反向并联；所述旁路电路上还连接有控制电路，所述控制电路用于控制第一IGBT、第二IGBT、第一可控硅以及第二可控硅的开关；通过此种设计达到旁路静态开关可以迅速打开和关断，当旁路电路参数异常时，可以迅速关断两个IGBT，切换到逆变供电的目的。目的。目的。

【技术实现步骤摘要】
一种不间断电源静态旁路开关


[0001]本技术涉及不间断电源
，具体为一种不间断电源静态旁路开关。

技术介绍

[0002]目前的不间断电源、逆变器等电源产品，静态旁路开关采用SCR可控硅的结构，当旁路电路参数异常时，需要从旁路转到逆变器电路为设备供电，而现有技术在这个转变过程中，需要等待旁路SCR可控硅关断，一般为电源频率的1/2周期，这样就会造成等待时间的电源中断，后端敏感设备会报警停机。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种不间断电源静态旁路开关，本技术通过旁路电路静态开关采用两个IGBT共用发射极连接当作一个可控交流开关，通过快速电压检测电路检测旁路电路参数以及产生控制信号，IGBT为全控器件，打开和关断完全由控制级信号决定，这样旁路静态开关可以迅速打开和关断，当旁路电路参数异常时，可以迅速关断两个IGBT，切换到逆变供电。
[0004]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0005]一种不间断电源静态旁路开关，所述不间断电源静态旁路开关包括L1相电路、L2相电路以及L3相电路；
[0006]所述L1相电路、L2相电路以及L3相电路均包括旁路电路以及逆变电路；
[0007]所述旁路电路包括第一IGBT以及第二IGBT，所述第一IGBT以及第二IGBT的共用一个发射极；
[0008]所述逆变电路包括第一可控硅以及第二可控硅，所述第一可控硅以及第二可控硅反向并联；
[0009]所述旁路电路上还连接有控制电路，所述控制电路用于控制第一IGBT、第二IGBT、第一可控硅以及第二可控硅的开关。
[0010]进一步的，所述第一IGBT的发射极与第二IGBT共用发射极，所述第一IGBT的集电极与电源连接，所述第二IGBT的集电极与负载连接，所述第一IGBT的续流二极管的阳极与第一IGBT的栅极连接，所述第一IGBT的续流二极管的阴极与电源连接，所述第二IGBT的续流二极管的阳极与第二IGBT的栅极连接，所述第二IGBT的续流二极管的阴极与负载连接。
[0011]进一步的，所述第一可控硅的阴极与电源连接，所述第一可控硅的阳极与负载连接，所述第二可控硅的阴极与负载连接，所述第二可控硅的阳极与电源连接，所述第一可控硅与第二可控硅并联。
[0012]进一步的，所述控制电路包括快速电压检测电路以及信号发射模块，所述快速电压检测电路一端连接在旁路电路的电源与第一IGBT的续流二极管之间，所述快速电压检测电路的另一端连接信号发射模块。
[0013]进一步的，所述信号发射模块包括反相器，所述反相器的输入端分别连接快速电
压检测电路的另一端以及第一可控硅、第二可控硅的控制级，所述反相器的输出端连接第一IGBT以及第二IGBT的控制级。
[0014]进一步的，所述快速电压检测电路用于对旁路电路上的参数进行实时检测。
[0015]进一步的，所述快速电压检测电路还用于产生低电平信号以及高电平信号。
[0016]进一步的，所述快速电压检测电路中设置有控制器，所述控制器中预设有旁路电路参数标准值或标准范围。
[0017]本专利技术的有益效果是：
[0018]本申请通过旁路电路静态开关采用两个IGBT共用发射极连接当作一个可控交流开关，通过快速电压检测电路检测旁路电路参数以及产生控制信号，IGBT为全控器件，打开和关断完全由控制级信号决定，这样旁路静态开关可以迅速打开和关断，当旁路电路参数异常时，可以迅速关断两个IGBT，切换到逆变供电。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术专利的电路连接原理图；
[0021]图2为本技术专利的现有技术电路连接原理图；
[0022]图3为本技术专利的L1相电路的电路连接原理图；
[0023]图4为本技术专利的L1相电路旁路电路的另一实施方式的电路连接原理图。
具体实施方式
[0024]下面结合本技术的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施都在本技术的保护范围内。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“逆时针”、“顺时针”“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0026]一种不间断电源静态旁路开关，所述不间断电源静态旁路开关包括L1相电路、L2相电路以及L3相电路；
[0027]所述L1相电路、L2相电路以及L3相电路均包括旁路电路以及逆变电路；
[0028]所述旁路电路包括第一IGBT以及第二IGBT，所述第一IGBT以及第二IGBT的共用一个发射极；
[0029]所述逆变电路包括第一可控硅以及第二可控硅，所述第一可控硅以及第二可控硅反向并联；
[0030]所述旁路电路上还连接有控制电路，所述控制电路用于控制第一IGBT、第二IGBT、第一可控硅以及第二可控硅的开关；
[0031]具体的，如附图1所示，本申请通过旁路电路静态开关采用两个IGBT共用发射极连接当作一个可控交流开关，IGBT为全控器件，打开和关断完全由控制级信号决定，这样旁路静态开关可以迅速打开和关断，相比于附图2的现有技术中使用的旁路开关采用SCR可控硅的结构，在旁路切换到逆变电路时，需要等待旁路SCR可控硅关断，导致等待时间的电源中断。
[0032]进一步的，所述第一IGBT的发射极与第二IGBT共用发射极，所述第一IGBT的集电极与电源连接，所述第二IGBT的集电极与负载连接，所述第一IGBT的续流二极管的阳极与第一IGBT的栅极连接，所述第一IGBT的续流二极管的阴极与电源连接，所述第二IGBT的续流二极管的阳极与第二IGBT的栅极连接，所述第二IGBT的续流二极管的阴极与负载连接；
[0033]具体的，以L1相电路为例，如附图3所示，第一IGBT的续流二极管为S1，其开关由控制级G1控制，第二IGBT的续流二极管为S2，其开关由控制级G2控制。
[0034]进一步的，所述第一可控硅的阴极与电源连接，所述第一可控硅的阳极与负载连接，所述第二可控硅的阴极与负载连接，所述第二可控硅的阳极与电源连接，所述第一可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不间断电源静态旁路开关，其特征在于，所述不间断电源静态旁路开关包括L1相电路、L2相电路以及L3相电路；所述L1相电路、L2相电路以及L3相电路均包括旁路电路以及逆变电路；所述旁路电路包括第一IGBT以及第二IGBT，所述第一IGBT以及第二IGBT的共用一个发射极；所述逆变电路包括第一可控硅以及第二可控硅，所述第一可控硅以及第二可控硅反向并联；所述旁路电路上还连接有控制电路，所述控制电路用于控制第一IGBT、第二IGBT、第一可控硅以及第二可控硅的开关。2.根据权利要求1所述的一种不间断电源静态旁路开关，其特征在于，所述第一IGBT的发射极与第二IGBT共用发射极，所述第一IGBT的集电极与电源连接，所述第二IGBT的集电极与负载连接，所述第一IGBT的续流二极管的阳极与第一IGBT的栅极连接，所述第一IGBT的续流二极管的阴极与电源连接，所述第二IGBT的续流二极管的阳极与第二IGBT的栅极连接，所述第二IGBT的续流二极管的阴极与负载连接。3.根据权利要求1所述的一种不间断电源静态旁路开关，其特征在于，所述第一可控硅的阴极与电源连接，所述第一可控硅的阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓正兵，鲁伟，高雪峰，王军，赵赛，汪帅，
申请(专利权)人：诺易电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：