一种小体积高压输入线性稳压电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种小体积高压输入线性稳压电路，包括耗尽型N沟道MOS管、稳压二极管和电阻，耗尽型N沟道MOS管Q1的漏极D端与输入Vin的正端引脚相连，提供高压直流输入，源极S端与输出Vout的正端相连，提供稳定的输出电压，栅极端G端与稳压二极管Q2的端口1相连，控制MOS管的电压输出。稳压二极管Q2的端口1与耗尽型N沟道MOS管Q1的栅极端G端相连，端口2与地平面GND相连，为MOS管提供稳定的栅极电压，并控制输出的电压范围。电阻R1的端口1与输出Vout的正端相连，端口2与稳压二极管Q2的端口1相连，用来限制流入稳压二极管的电流大小。用来限制流入稳压二极管的电流大小。用来限制流入稳压二极管的电流大小。

【技术实现步骤摘要】
一种小体积高压输入线性稳压电路


[0001]本技术涉及线性稳压电路领域，具体而言，涉及一种小体积高压输入线性稳压电路。

技术介绍

[0002]在高压直流电源电路系统中，经常需要用到线性稳压电路，现有的线性稳压电路再应用的过程中存在一些不足之处需要进行改进，不足之处如下：
[0003]首先就是现有的传统的线性稳压电路体积大，原理结构复杂，其次是现有的线性稳压电路元器件种类数量繁多，较大的体积会占用电源空间，降低电源系统的功率密度，且元器件过多会增加电源系统的设计风险。
[0004]因此我们对此做出改进，提出一种小体积高压输入线性稳压电路，提供小体积高压输入线性稳压电路替代传统的高压线稳压电路有效地降低电源的设计成本与器件使用数量提高电源的稳定性。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于：针对目前存在的
技术介绍
提出的现有的传统的线性稳压电路体积大，原理结构复杂，其次是现有的线性稳压电路元器件种类数量繁多，较大的体积会占用电源空间，降低电源系统的功率密度，且元器件过多会增加电源系统的设计风险问题。
[0006]为了实现上述技术目的，本技术提供了以下技术方案：一种小体积高压输入线性稳压电路，以改善上述问题，本申请具体是这样的：包括耗尽型N沟道MOS管、稳压二极管和电阻，耗尽型N沟道MOS管Q1的漏极与输入Vin的正端引脚相连，源极与输出Vout的正端相连，栅极与稳压二极管Q2的一端电性连接，稳压二极管Q2一端与耗尽型N沟道MOS管Q1一端相连，另一端与地平面GND相连，电阻R1一端与稳压二极管Q2相连，另一端与输出Vout的正端相连。
[0007]作为本申请优选的技术方案，所述电阻R1的端口1与所述输出Vout的正端相连，所述电阻R1的端口2与稳压二极管Q2的端口1相连。
[0008]作为本申请优选的技术方案，所述源极的S端与输出Vout的正端相连且所述输出Vout的负端与地平面GND电性连接。
[0009]作为本申请优选的技术方案，所述耗尽型N沟道MOS管Q1处于线性工作区，输出电压为稳压二极管管Q2电压与MOS管的栅
‑
源极G
‑
S端电压之和。
[0010]作为本申请优选的技术方案，所述输入Vin小于MOS管的漏极
‑
源极耐压1000V。
[0011]作为本申请优选的技术方案，所述Q1为耗尽型N沟道MOS管型号为IXTY01N100D。
[0012]作为本申请优选的技术方案，所述输出Vout为直流输出端口。
[0013]作为本申请优选的技术方案，所述耗尽型N沟道MOS管Q1为导通状态，MOS管的S端电压随着输入Vin上升。
[0014]作为本申请优选的技术方案，所述输入Vin为直流输入端口，所述输入Vin的负端引脚与地平面GND电性连接。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0016]在本申请的方案中：
[0017]1.通过耗尽型N沟道MOS管Q1的漏极D端与输入Vin的正端引脚相连，提供高压直流输入，源极S端与输出Vout的正端相连，提供稳定的输出电压，栅极端G端与稳压二极管Q2的端口1相连，控制MOS管的电压输出；
[0018]2.通过稳压二极管Q2的端口1与耗尽型N沟道MOS管Q1的栅极端G端相连，端口2与地平面GND相连，为MOS管提供稳定的栅极电压，并控制输出的电压范围，电阻R1的端口1与输出Vout的正端相连，端口2与稳压二极管Q2的端口1相连，用来限制流入稳压二极管Q2的电流大小。
附图说明：
[0019]图1为本申请提供的小体积高压输入线性稳压电路的电路图。
具体实施方式
[0020]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]因此，以下对本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的部分实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合。
[0023]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，这类术语仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]具体实施方式1，如图1，本实施方式提出一种小体积高压输入线性稳压电路，包括耗尽型N沟道MOS管Q1、稳压二极管Q2和电阻R1，耗尽型N沟道MOS管Q1的漏极D端与输入Vin的正端引脚相连，提供高压直流输入，源极S端与输出Vout的正端相连，提供稳定的输出电压，栅极端G端与稳压二极管Q2的端口1相连，控制MOS管的电压输出，稳压二极管Q2的端口1与耗尽型N沟道MOS管Q1的栅极端G端相连，端口2与地平面GND相连，为MOS管提供稳定的栅极电压，并控制输出的电压范围，电阻R1的端口1与输出Vout的正端相连，端口2与稳压二极
管Q2的端口1相连，用来限制流入稳压二极管Q2的电流大小。
[0026]作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述电阻R1的端口1与所述输出Vout的正端相连，所述电阻R1的端口2与稳压二极管Q2的端口1相连。
[0027]作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述源极的S端与输出Vout的正端相连且所述输出Vout的负端与地平面GND电性连接。
[0028]作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述耗尽型N沟道MOS管Q1处于线性工作区，输出电压为稳压二极管管Q2电压与MOS管的栅
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源极G
‑
S端电压之和。
[0029]作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述输入Vin小于MOS管的漏极
‑
源极耐压1000V。
[0030]作为优选的实施方式，在上述方式的基础上，进一步的，所述Q1为耗尽型N沟道MOS管型号为IXTY01N100D。
[0031]具体实施方式2，本实施方式提出一种小体积高压输入线性稳压电路，包括耗尽型N沟道MOS管Q1的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小体积高压输入线性稳压电路，包括，其特征在于，包括耗尽型N沟道MOS管、稳压二极管和电阻，耗尽型N沟道MOS管Q1的漏极与输入Vin的正端引脚相连，源极与输出Vout的正端相连，栅极与稳压二极管Q2的一端电性连接，稳压二极管Q2一端与耗尽型N沟道MOS管Q1一端相连，另一端与地平面GND相连，电阻R1一端与稳压二极管Q2相连，另一端与输出Vout的正端相连。2.根据权利要求1所述的一种小体积高压输入线性稳压电路，其特征在于，所述电阻R1的端口1与所述输出Vout的正端相连，所述电阻R1的端口2与稳压二极管Q2的端口1相连。3.根据权利要求1所述的一种小体积高压输入线性稳压电路，其特征在于，所述源极的S端与输出Vout的正端相连且所述输出Vout的负端与地平面GND电性连接。4.根据权利要求1所述的一种小体积高压输入线性稳压电路，其特征在于，所述耗尽型N沟道MOS管Q1处于线性工作区，输...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦鹏，毛鹏，
申请(专利权)人：洛阳隆盛科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：