一种修正氧化孔径的方法技术

本发明专利技术涉及一种修正氧化孔径的方法，氧化孔未经修正直接氧化后在某一晶面方向的俯视图呈类等腰三角形，所述方法包括：在侧向氧化之前，对圆形台面结构的晶面快速氧化方向上的侧壁进行镀膜、沉积或保留原来外延材料形成扩散障碍层，补偿修正侧壁各方向氧化速率的差异，补偿修正角度为以未经修正的原类等腰三角形孔径三个边方向；对已具有扩散障碍层的台面结构侧壁进行扩散及氧化，形成氧化孔。

【技术实现步骤摘要】
一种修正氧化孔径的方法
本专利技术涉及光通信
，涉及光通信
的一种核心器件——VCSEL的制造技术，尤其涉及一种修正氧化孔径的方法。
技术介绍
在光通信
，VCSEL(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser)即垂直面射型激光器，是一种常用的半导体器件激光器，VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，应用在光并行处理、光识别、光互联系统、光存储等领域。随着工艺、材料技术改进，VCSEL器件在功耗、制造成本、集成、散热等领域的优势开始显现，逐渐应用于工业加热、环境监测、医疗设备等商业级应用以及3D感知等消费级应用。未来，随着智能化信息世界的不断发展，VCSEL将广泛应用在消费电子3D成像、物联网、数据中心/云计算、自动驾驶等领域。其中，VCSEL在消费电子领域发挥越来越重要的作用，VCSEL可用来进行智能手机人脸识别、无人机避障、VR/AR、扫地机器人、家用摄像头等。与传统激光器相比，VCSEL具有较小的远场发散角，发射光束窄且圆，易与光纤进行耦合；阈值电流低；调制频率高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修正氧化孔径的方法，氧化孔未经修正直接氧化后在某一晶面方向的俯视图呈类等腰三角形，其特征在于，所述方法包括：/n在侧向氧化之前，对圆形台面结构的晶面快速氧化方向上的侧壁进行镀膜、沉积或保留原来外延材料形成扩散障碍层，补偿修正侧壁各方向氧化速率的差异，补偿修正角度为未经修正的原类三角形孔径的三个边方向；/n对已具有扩散障碍层的台面结构侧壁进行扩散及氧化，形成氧化孔。/n

【技术特征摘要】
20201028 CN 20201117624321.一种修正氧化孔径的方法，氧化孔未经修正直接氧化后在某一晶面方向的俯视图呈类等腰三角形，其特征在于，所述方法包括：
在侧向氧化之前，对圆形台面结构的晶面快速氧化方向上的侧壁进行镀膜、沉积或保留原来外延材料形成扩散障碍层，补偿修正侧壁各方向氧化速率的差异，补偿修正角度为未经修正的原类三角形孔径的三个边方向；
对已具有扩散障碍层的台面结构侧壁进行扩散及氧化，形成氧化孔。


2.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述晶面为(112)晶面偏角15度以内的晶面。


3.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述圆形台面结构及氧化层区域的外圆的半径为R，所述扩散障碍层为环绕氧化层区域的三个不完整环形区域，三个不完整环形形区域可分成两个部分，其中一部分为对应未经修正孔径的类等腰三角形底边方位的第一不完整环形；其中，第一不完整环形为由以台面圆心为共同圆心、半径分别为R及Rd1的两圆弧及相切于原类等腰三角形孔径两底角方向与台面边缘相切且半径同为R的两个圆所围绕的区域；另一部分为对应未经修正孔径的类等腰三角形的两个腰边方位的两个第二不完整环形；其中，第二不完整环形为由以台面圆心为共同圆心、半径R及Rd2的两圆弧及相切于原类等腰三角形孔径的顶角方位与台面边缘相切且半径同为R的一个外切圆及第一不完整环形的两个外切圆所共同围绕的区域。


4.根据权利要求3所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，未经修正孔径的类等腰三角形的底边对应的扩散障碍层的厚度d1＝(r-r2)*(kd/k...

【专利技术属性】
技术研发人员：方照诒，
申请(专利权)人：深圳市德明利光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44