本实用新型涉及一种LED半导体外延结构和一种LED芯片外延结构，通过插入隧道结将传统的p型窗口层更换为n型窗口层，结增加了电子的浓度和移动速率，并且其奥姆接触优良，电流分布功能强，散热性能好，并且还有利于转换掺杂接触层/窗口(Windo...

本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光器及垂直腔面发射激光装置，激光器包括P型电极、P型布拉格反射镜、上层氧化局限层、主动层、下层氧化局限层、N型布拉格反射镜和N型电极；上层氧化局限层和下层氧化局限层用于对主动层内的电流流向进行限制。当对...

本申请提供了一种主动层结构及面射型共振腔体雷射，主动层结构包括：从下至上依次设置的N型掺杂层、第一局限层、复合量子井层、第二局限层和P型掺杂层；其中，复合量子井层包括交替设置的能障层和井层；能障层的数量等于井层的数量加一；主动层结构中的...

本实用新型公开一种垂直腔面发射激光器，涉及光电技术领域，包括衬底、以及依次层叠设置于衬底上的N型布拉格反射镜层、多量子阱有源层、具有电流限制孔的氧化限制层和P型布拉格反射镜层，N型布拉格反射镜层、多量子阱有源层、氧化限制层和P型布拉格反...

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成N型欧姆接触层、N型布拉格反射镜层、多量子阱有源层和P型布拉格反射镜层；在P型布拉格反射镜层上形成第一绝缘层并刻蚀第一绝缘层形成环形开口；在P型布拉格反射镜层...

本申请提供了一种光芯片及激光雷达，其中，光芯片的出光口处设置有热敏胆固醇液晶层；当光芯片随工作温度升高导致出光口处的出射光产生波长红移时，热敏胆固醇液晶层因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射光芯片的出光口处的出射光。本申请通过在光...

一种垂直腔面发射激光器，涉及光电技术领域，包括衬底，以及依次层叠设置于衬底上的底部N型布拉格反射镜层、多量子阱有源层、P型布拉格反射镜层、隧道结和顶部N型布拉格反射镜层，或，以及依次层叠设置于衬底上的底部N型布拉格反射镜层、隧道结、P型...

本发明提供了一种激光器主动层外延结构及其生长方法和激光器，应用于垂直腔面发射激光器，外延结构包括：能障层、井层和限制层；其中，第一限制层和第二限制层位于主动层的两侧；第一限制层与第一能障层相连；第二限制层与第二能障层相连；第一能障层与第...

本申请提供了一种激光发射组件及数据采集装置，其中，激光发射组件包括：从下到上依次设置的衬底、N型接触层、N型掺杂层、多对量子阱层和激光发射层；激光发射层为分散式布拉格反射器；分散式布拉格反射器刻蚀指定深度，或者，在分散式布拉格反射器上设...

一种垂直腔面发射激光器，涉及光电技术领域，包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的底部布拉格反射镜层、多量子阱有源层、具有电流限制孔的氧化层和顶部布拉格反射镜层，顶部布拉格反射镜层包括依次层叠设置的第一布拉格反射镜层、插入层和具有锌扩散区的第...

本申请提供一种垂直腔面发射激光器，涉及激光器技术领域，包括衬底以及依次层叠于衬底上的底部布拉格反射镜、有源层、具有第一电流窗口的氧化限制层和具有第二电流窗口的顶部布拉格反射镜，第一电流窗口和第二电流窗口在衬底上的正投影重合。从而通过氧化...

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、以及依次层叠设置于衬底上的N型布拉格反射镜层、量子阱层和P型布拉格反射镜层，P型布拉格反射镜层包括依次层叠设置的具有电流限制孔的复合式氧化层和子布拉格反射镜层，复合式氧化...

本申请提供一种垂直腔面发射激光器，涉及激光器技术领域，包括衬底以及依次层叠于衬底上的底部布拉格反射镜、有源层、具有第一电流限制孔的第一氧化层、顶部布拉格反射镜和具有第二电流限制孔的复合型氧化层，第二电流限制孔的孔径沿有源层至第一氧化层的...

本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括提供外延结构,所述外延结构包括依次层叠的基板、第一N型包覆层、穿隧层、P型包覆层、量子阱层、第二N型包覆层和N型窗口层；翻转所述外延结构，在所述N型窗口层接合散热基板；去...

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：依次在衬底上形成刻蚀停止层、底部反射器、多量子阱层、顶部反射器以及顶部连接层，组成器件预制体；采用干法刻蚀在器件预制体的...

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直腔面发射激光器，包括层叠设置的衬底、底部电极、底部反射器、多量子阱层、顶部反射器以及顶部电极，顶部反射器中设置有电流限制层，其中，电流限制层包括电流限制区内以及电流...

本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域，包括提供外延结构，外延结构包括依次层叠的衬底、N型接触层、N型反射层、量子阱层和P型反射层；在P型反射层上形成P极金属电极，并在P极金属电极上形成第一抗反射膜...

一种用于氧化制程的反应装置及处理设备，涉及半导体制造技术领域，包括密闭的反应容器以及设置于反应容器内的载样台，反应装置还包括驱动件，驱动件与载样台传动连接，用于驱动载样台在反应容器内转动。该用于氧化制程的反应装置及处理设备能够提高外延片...

一种用于氧化制程的气体混合装置及处理设备，涉及半导体制造技术领域，包括气体混合器、设置有第一MFC和第二MFC的第一管道、设置有第三MFC的第二管道和设置有压力控制器的第三管道，气体混合器通过第一管道与处理腔室连接，第二管道与第一管道的...

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及光电技术领域，该方法包括：在衬底上依次形成N型欧姆接触层、N型DBR层、MQW层和P型DBR层，并进行台面刻蚀至露出N型欧姆接触层，P型DBR层包括多个交替设置的具有不同折射率的AlGaAs层；对...