【技术实现步骤摘要】
基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法
本专利技术属于集成电路
，本专利技术具体提供了一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法。
技术介绍
电气隔离(Galvanicisolation)是指在电路中避免电流直接从某一区域流到另外一区域的方式，也就是在两个区域间不建立电流直接流动的路径。虽然电流无法直接流过，但能量或是信息仍可以经由其他方式传递，例如电容、电感或电磁波，或是利用光学、声学或是机械的方式进行。隔离器的诞生与发展一直都是伴随着电力工业的发展进程。隔离器诞生缘于工业现场噪声和高低频脉冲信号干扰的滤除和对控制系统的隔离保护，以保证信号输出的准确、稳定和可靠，后来信号变送和提高负载能力的设计也增加进来。隔离的作用，主要有以下三点：保护操作人员和低压电路免受高压影响，处理通信子系统之间的接地电位差，提高抗噪能力，正因如此，隔离被广泛应用在工业和汽车中，以确保信号在不同电压层级传导中的安全和可靠。最初，隔离器大多采用光耦隔离器，而随着CMOS工艺的不断进步，数字...
【技术保护点】
1.一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：在硅衬底（1）上开设有至少四个凹槽（2），对凹槽（2）的侧面与底面的硅衬底（1）以及硅衬底（1）的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层（3），在每个凹槽（2）内均填充有多晶硅，位于最左侧与最右侧凹槽（2）内的多晶硅形成接地多晶硅（4），位于中部凹槽（2）内的多晶硅形成高压隔离电容器件多晶硅（5），在多晶硅的上表面设有绝缘覆盖二氧化硅层（6），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）上设有绝缘覆盖氮化硅层（7），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）与绝缘覆盖氮化硅层（7）上开设接触孔，在接触孔内设有与接地多晶硅（4）相连的接地多晶硅引...
【技术特征摘要】
1.一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：在硅衬底（1）上开设有至少四个凹槽（2），对凹槽（2）的侧面与底面的硅衬底（1）以及硅衬底（1）的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层（3），在每个凹槽（2）内均填充有多晶硅，位于最左侧与最右侧凹槽（2）内的多晶硅形成接地多晶硅（4），位于中部凹槽（2）内的多晶硅形成高压隔离电容器件多晶硅（5），在多晶硅的上表面设有绝缘覆盖二氧化硅层（6），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）上设有绝缘覆盖氮化硅层（7），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）与绝缘覆盖氮化硅层（7）上开设接触孔，在接触孔内设有与接地多晶硅（4）相连的接地多晶硅引出电极（8）以及与高压隔离电容器件多晶硅（5）相连的高压隔离电容器件多晶硅引出电极（9）。
2.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述相邻凹槽（2）之间的二氧化硅介质层（3）呈增厚设置。
3.根据权利要求1或2所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述二氧化硅介质层（3）的厚度为5~15um。
4.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述凹槽（2）的宽度为5~10um、凹槽（2）的深度为10~30um且相邻凹槽（2）的间距为5~10um。
5.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述沟槽型高压隔离电容器件器件为轴对称结构，关于器件的中心轴呈左右对称设置。
6.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述绝缘覆盖二氧化硅层（6）的厚度为5~15um，所述绝缘覆盖氮化硅层（7）的厚度为2~5u...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄昊丹，黄飞明，励晔，
申请(专利权)人：无锡硅动力微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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