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本发明涉及一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法，在硅衬底上开设有至少四个凹槽，对凹槽的侧面与底面的硅衬底以及硅衬底的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层，在凹槽内均填充有多晶硅，位于最左、右侧凹槽内形成接地多晶硅，位...
该专利属于无锡硅动力微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡硅动力微电子股份有限公司授权不得商用。

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