半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法该申请要求享有于2019年11月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0151871号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过全文引用合并于此。
本公开涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括沿一个方向延伸的导电电极和支撑该导电电极的支撑结构的半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件的集成度的提高，更大的电容和更高的集成密度是有益的，从而导致设计规则不断减少。这种趋势在动态随机存取存储器(DRAM)中很明显，DRAM是在集成度较高的器件中占用空间较小的一种半导体存储器件。然而，为了使DRAM器件工作，每个单元中都需要大于一定水平的电容，这可能会受到较小的占用空间的阻碍，因为电容是电容器的电极的表面积的函数。为此，正在研究在电容器中利用具有高介电常数的介电层和/或增加电容器的下电极与介电层之间的接触面积，例如提供了一种电容器，其中当下电极的高度增加时，电容器与介电层之间的接触面积增加，从而增加电容器的电容。为了防止由于下电极的高度增加而引起的下电极倾斜或塌陷，已经提出了使用能够支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n多个下电极，在衬底上；/n第一电极支撑件，在所述多个下电极中的相邻下电极之间，所述第一电极支撑件包括导电材料；/n介电层，在所述多个下电极和所述第一电极支撑件上并且沿所述第一电极支撑件和所述多个下电极中的每个下电极的轮廓延伸；以及/n上电极，在所述介电层上。/n

【技术特征摘要】
20191125 KR 10-2019-01518711.一种半导体器件，包括：
多个下电极，在衬底上；
第一电极支撑件，在所述多个下电极中的相邻下电极之间，所述第一电极支撑件包括导电材料；
介电层，在所述多个下电极和所述第一电极支撑件上并且沿所述第一电极支撑件和所述多个下电极中的每个下电极的轮廓延伸；以及
上电极，在所述介电层上。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
绝缘间隔件，在所述第一电极支撑件与所述多个下电极中的每个下电极之间。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘间隔件包括介电常数大于氧化硅的绝缘材料。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第一电极支撑件包括彼此面对的第一表面和第二表面，
所述第一电极支撑件的所述第一表面面对所述衬底，并且
从所述第一电极支撑件的所述第二表面到所述绝缘间隔件的底部的距离大于所述第一电极支撑件的厚度。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
接地插塞，连接到所述上电极，
其中，所述第一电极支撑件电连接到所述接地插塞。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第二电极支撑件，在所述衬底与所述第一电极支撑件之间，所述第二电极支撑件包括绝缘材料。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极和所述第一电极支撑件彼此不接触。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极中的每个下电极具有远离所述衬底的上表面延伸的柱形。


9.一种半导体器件，包括：
多个下电极，在衬底上；
电极支撑件，在所述多个下电极中的相邻下电极之间包括导电材料，所述电极支撑件在其上表面上包括支撑暴露区域；
介电层，在所述电极支撑件和所述下电极上，但不在所述电极支撑件的所述支撑暴露区域上；
上电极，在所述介电层上；
上板电极，在所述上电极上并且电连接到所述电极支撑件；以及
接地插塞，连接到所述上板电极。


10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，
所述电极支撑件包括电极支撑部和围绕所述电极支撑部的边缘部，
所述下电极在所述电极支撑部中，并且
所述电极支撑件的所述边缘部包括所述支撑暴露区域。...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔允荣，金昇辰，李炳铉，朴相在，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR