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一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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