半导体装置制造方法及图纸

公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请要求于2019年10月29日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0135307号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开总体上涉及一种半导体装置以及一种用于制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种包括电容器作为数据存储元件的半导体装置以及一种用于制造该半导体装置的方法。
技术介绍
近年来，为了半导体装置(诸如DRAM装置)的大容量和高集成度，半导体装置的设计规则也不断减小。为了使DRAM装置工作，每个单元可以存在最小电容。电容的增加增大了存储在电容器中的电荷量并且可以改善半导体装置的刷新特性。半导体装置的改善的刷新特性可以提高半导体装置的成品率。为了增加电容，正在研究将具有高介电常数的介电膜用于电容器或者增加电容器的下电极与介电膜之间的接触面积的方法。
技术实现思路
本公开的方面提供能够通过下电极与电容器介电膜之间的界面工程来改善元件的性能和可靠性的半导体装置。本公开的方面也提供了用于制造能够通过下电极与电容器介电膜之间的界面工程来改善本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n接地垫，位于基底上；/n下电极，位于接地垫上并且连接到接地垫，其中，下电极包括外部部分和被外部部分包围的内部部分，并且外部部分包括第一区域和第二区域；/n介电膜，沿着下电极的外部部分的第一区域延伸；以及/n上电极，位于介电膜上，/n其中，下电极的外部部分的第一区域包括硅掺杂剂，/n介电膜不沿着下电极的外部部分的第二区域延伸，/n外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度，并且/n外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。/n

【技术特征摘要】
20191029 KR 10-2019-01353071.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
接地垫，位于基底上；
下电极，位于接地垫上并且连接到接地垫，其中，下电极包括外部部分和被外部部分包围的内部部分，并且外部部分包括第一区域和第二区域；
介电膜，沿着下电极的外部部分的第一区域延伸；以及
上电极，位于介电膜上，
其中，下电极的外部部分的第一区域包括硅掺杂剂，
介电膜不沿着下电极的外部部分的第二区域延伸，
外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度，并且
外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度比外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度高。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下电极的内部部分没有硅掺杂剂。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
插入膜，位于下电极与上电极之间，
插入膜沿着外部部分的第一区域延伸并且不沿着外部部分的第二区域延伸。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下电极包括沿着外部部分的第一区域延伸的金属硅氮化物膜。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，金属硅氮化物膜不在外部部分的第二区域上延伸。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
支撑件图案，位于基底上并且接触外部部分的第二区域。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
上板电极，位于上电极上，
上电极包括沿着与上板电极的界面的硅掺杂区域。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，外部部分包括包含下电极的侧壁的侧表面区域和包含下电极的上表面的上表面区域，并且
外部部分的侧表面区域包括外部部分的第一区域和外部部分的第二区域。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下电极具有在基底的厚度方向上延伸的柱形状。


11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下电极具有圆筒形状。


12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
接地垫，位于基底上；
下电极，位于接地垫上并且连接到接地垫，其中，下电极在基底的厚度方向上延伸；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：安敞茂，姜相列，朴瑛琳，徐锺汎，安世衡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR