【技术实现步骤摘要】
电容结构的制备方法、电容结构及存储器
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)因具有较高的存储密度以及较快的读写速度广泛地应用在各种电子设备中。动态存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通常包括晶体管和电容结构。电容结构用于存储数据信息，晶体管用于控制电容结构中的数据信息的读写。电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层。介电层的材质通常为氧化物，例如可以为氧化硅(SiO2)。然而，上述介电层的介电常数较小且与电极接触时存在漏电流，电容结构的性能较差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器，以解决电容结构性能较差的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种电容结构，包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间的介电层；所述介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个所述...
【技术保护点】
1.一种电容结构，其特征在于，包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间的介电层；/n所述介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个所述钙钛矿层之间设置有无定形层，且至少两个所述钙钛矿层中位于最外侧的两个钙钛矿层分别与两个所述电极相接触。/n
【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间的介电层；
所述介电层包括堆叠设置的至少两个钙钛矿层，每相邻的两个所述钙钛矿层之间设置有无定形层，且至少两个所述钙钛矿层中位于最外侧的两个钙钛矿层分别与两个所述电极相接触。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，位于最外侧的两个所述钙钛矿层中至少一个钙钛矿层包括两个分层，两个所述分层中与所述电极相接触的一个所述分层为有掺杂的钙钛矿层，另一个所述分层为无掺杂的钙钛矿层。
3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述有掺杂的钙钛矿层的材质为掺杂有铝的钛酸锶或者掺杂有硅的钛酸钡。
4.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述无掺杂的钙钛矿层的材质为钛酸锶或者钛酸钡。
5.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，两个所述分层的厚度均小于或者等于5nm。
6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层的材质包括氧化铝或者氧化硅。
7.根据权利要求6所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层的厚度小于或者等于5nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的电容结构，其特征在于，所述无定形层和所述钙钛矿层利用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成。
9.根据权利要求1-7任一项所述的电容结构，其特征在于，所述介电层包括两个或两个以上所述无定形层，位于两个所述无定形层之间的所述钙钛矿层为无掺杂的钙钛矿层。
10.根据权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏星松，白卫平，郁梦康，王连红，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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