【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆扩晶器
本专利技术涉及半导体加工设备领域,特别的,是一种半导体晶圆扩晶器。
技术介绍
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆,扩晶是固晶前的一道辅助工序,晶圆在出帮的时候都是一个接一个挨得很近的,这样没有办法上自动固晶机,因此必须用一种办法把晶圆隔开,贴芯片的膜是具有拉伸性的,用扩晶机将膜拉伸,然后套上固晶环,这就是扩晶,在扩晶时,将待扩的晶片膜撕开,芯片一面朝上放于发热圆盘上,待胶膜加热,膜遇热收缩,再将上圆板板压下扣上锁扣,按动下圆盘上升行程开关,将发热圆盘上升到晶片与晶片间将要的扩开宽度,放上外晶环(光滑一面朝下),按下上圆盘行程开关,将上圆盘压下直到把外晶环压到内晶环1/2位置为准,将上圆盘、下发热圆盘回到原位,找开上圆板取出扩好的晶片,再将多余的晶片膜用刀片割掉,在待扩的晶片放置到发热圆盘上时,只是将晶片放置在发热圆盘上,然而在放置晶片的时候,若是无法保证有晶片的地方尽可以能的摆放在发热圆盘的正中间,这样在胶膜加热时,容易出现膜加热不均匀,影响扩晶效率。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:其结构包括第一气缸(1)、机架(2)、上圆盘(3)、支撑底座(4)、固定框架(5)、第二气缸(6)、加热器(7)、发热圆盘(8),所述固定框架(5)上焊接有四个机架(2),所述机架(2)上端焊接有矩形板,在矩形板的上方安装有第一气缸(1),所述第一气缸(1)与上圆盘(3)机械连接,所述上圆盘(3)与发热圆盘(8)、支撑底座(4)呈上下相对,所述支撑底座(4)上设有发热圆盘(8),所述支撑底座(4)机械连接在固定框架(5)上,所述支撑底座(4)与第二气缸(6)连接,所述发热器(7)与发热圆盘(8)电性连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:其结构包括第一气缸(1)、机架(2)、上圆盘(3)、支撑底座(4)、固定框架(5)、第二气缸(6)、加热器(7)、发热圆盘(8),所述固定框架(5)上焊接有四个机架(2),所述机架(2)上端焊接有矩形板,在矩形板的上方安装有第一气缸(1),所述第一气缸(1)与上圆盘(3)机械连接,所述上圆盘(3)与发热圆盘(8)、支撑底座(4)呈上下相对,所述支撑底座(4)上设有发热圆盘(8),所述支撑底座(4)机械连接在固定框架(5)上,所述支撑底座(4)与第二气缸(6)连接,所述发热器(7)与发热圆盘(8)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:所述支撑底座(4)设有托盘(41)与矫位装置(42),所述托盘(41)与发热圆盘(8)同圆心,所述矫位装置(42)设有四个,且均匀固定在托盘(41)上,所述矫位装置(42)与发热圆盘(8)配合。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:所述矫位装置(42)包括伸缩气缸(421)、连接导线(422)、矫位盘(423)、橡胶层(424)、停止机构(425)、牵引条(426),所述伸缩气缸(421)通过停止机构(425)与矫位盘(423)连接,所述矫位盘(423)中固定有橡胶层(424),所述伸缩气缸...
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