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一种半导体晶圆扩晶器制造技术

技术编号:28628704 阅读:31 留言:0更新日期:2021-05-28 16:25
本发明专利技术公开了一种半导体晶圆扩晶器,其结构包括第一气缸、机架、上圆盘、支撑底座、固定框架、第二气缸、加热器、发热圆盘,固定框架上焊接有四个机架,机架上端焊接有矩形板,在矩形板的上方安装有第一气缸,第一气缸与上圆盘机械连接,上圆盘与发热圆盘、支撑底座呈上下相对,本发明专利技术矫位装置与发热圆盘相配合,矫位装置通过设置的伸缩气缸带动矫位盘不断的朝向发热圆盘的中心位置移动,在矫位盘的同步移动中将便宜发热圆盘中心位置的晶片调整到正中间的位置,使膜均匀受热。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆扩晶器
本专利技术涉及半导体加工设备领域,特别的,是一种半导体晶圆扩晶器。
技术介绍
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆,扩晶是固晶前的一道辅助工序,晶圆在出帮的时候都是一个接一个挨得很近的,这样没有办法上自动固晶机,因此必须用一种办法把晶圆隔开,贴芯片的膜是具有拉伸性的,用扩晶机将膜拉伸,然后套上固晶环,这就是扩晶,在扩晶时,将待扩的晶片膜撕开,芯片一面朝上放于发热圆盘上,待胶膜加热,膜遇热收缩,再将上圆板板压下扣上锁扣,按动下圆盘上升行程开关,将发热圆盘上升到晶片与晶片间将要的扩开宽度,放上外晶环(光滑一面朝下),按下上圆盘行程开关,将上圆盘压下直到把外晶环压到内晶环1/2位置为准,将上圆盘、下发热圆盘回到原位,找开上圆板取出扩好的晶片,再将多余的晶片膜用刀片割掉,在待扩的晶片放置到发热圆盘上时,只是将晶片放置在发热圆盘上,然而在放置晶片的时候,若是无法保证有晶片的地方尽可以能的摆放在发热圆盘的正中间,这样在胶膜加热时,容易出现膜加热不均匀,影响扩晶效率。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:其结构包括第一气缸(1)、机架(2)、上圆盘(3)、支撑底座(4)、固定框架(5)、第二气缸(6)、加热器(7)、发热圆盘(8),所述固定框架(5)上焊接有四个机架(2),所述机架(2)上端焊接有矩形板,在矩形板的上方安装有第一气缸(1),所述第一气缸(1)与上圆盘(3)机械连接,所述上圆盘(3)与发热圆盘(8)、支撑底座(4)呈上下相对,所述支撑底座(4)上设有发热圆盘(8),所述支撑底座(4)机械连接在固定框架(5)上,所述支撑底座(4)与第二气缸(6)连接,所述发热器(7)与发热圆盘(8)电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:其结构包括第一气缸(1)、机架(2)、上圆盘(3)、支撑底座(4)、固定框架(5)、第二气缸(6)、加热器(7)、发热圆盘(8),所述固定框架(5)上焊接有四个机架(2),所述机架(2)上端焊接有矩形板,在矩形板的上方安装有第一气缸(1),所述第一气缸(1)与上圆盘(3)机械连接,所述上圆盘(3)与发热圆盘(8)、支撑底座(4)呈上下相对,所述支撑底座(4)上设有发热圆盘(8),所述支撑底座(4)机械连接在固定框架(5)上,所述支撑底座(4)与第二气缸(6)连接,所述发热器(7)与发热圆盘(8)电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:所述支撑底座(4)设有托盘(41)与矫位装置(42),所述托盘(41)与发热圆盘(8)同圆心,所述矫位装置(42)设有四个,且均匀固定在托盘(41)上,所述矫位装置(42)与发热圆盘(8)配合。


3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆扩晶器,其特征在于:所述矫位装置(42)包括伸缩气缸(421)、连接导线(422)、矫位盘(423)、橡胶层(424)、停止机构(425)、牵引条(426),所述伸缩气缸(421)通过停止机构(425)与矫位盘(423)连接,所述矫位盘(423)中固定有橡胶层(424),所述伸缩气缸...

【专利技术属性】
技术研发人员:陶汉成
申请(专利权)人:陶汉成
类型:发明
国别省市:河南;41

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