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本发明公开了一种半导体晶圆扩晶器，其结构包括第一气缸、机架、上圆盘、支撑底座、固定框架、第二气缸、加热器、发热圆盘，固定框架上焊接有四个机架，机架上端焊接有矩形板，在矩形板的上方安装有第一气缸，第一气缸与上圆盘机械连接，上圆盘与发热圆盘、支...
该专利属于陶汉成所有，仅供学习研究参考，未经过陶汉成授权不得商用。

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