灵敏放大器及其控制方法技术

本发明专利技术涉及一种灵敏放大器及其控制方法，灵敏放大器包括：预充电模块、第一输入输出端、第二输入输出端、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元、第一储能单元及第二储能单元。上述灵敏放大器可以对失调电压进行补偿，使得灵敏放大器的失调电压大大减小，从而提高灵敏放大器的灵敏度及分辨率。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及其控制方法
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种灵敏放大器及其控制方法。
技术介绍
灵敏放大器中各器件之间存在的随机失配会造成器件之间的阈值电压的失配，这将会导致灵敏放大器失调电压的产生；而失调电压会导致灵敏放大器读取的时候产生低感阈度(lowsensemargin)的问题，从而使得灵敏放大器的灵敏度较低、分辨率较低及容易造成读取错误。另一方面，灵敏放大器的小信号差分输入电压由电荷分享效应(chargesharing)产生，由于位线越来越长，位线的寄生电容越来愈大，而与此同时，存储电容越来越小，这将导致电荷分享效应产生的小信号差分输入电压越来越小，从而使得失调电压的影响越来越显著。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中的灵敏放大器存在失调电压，从而导致灵敏放大器的灵敏度较低、分辨率较低及容易造成读取错误的问题，提供一种灵敏放大器及其控制方法。本专利技术提供一种灵敏放大器，包括：包括：预充电模块、第一输入输出端、第二输入输出端、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：预充电模块、第一输入输出端、第二输入输出端、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元、第一储能单元及第二储能单元；其中，/n所述预充电模块一端与第一位线相连接，另一端与第二位线相连接，用于将所述第一位线及所述第二位线预充电至预设电压；/n所述第一输入输出端与所述第一位线相连接；所述第二输入输出端与所述第二位线相连接；/n所述第一PMOS管的栅极经由所述第二开关单元与所述第二输入输出端相连接，所述第一PMOS管的漏极经由所述第...

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：预充电模块、第一输入输出端、第二输入输出端、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元、第一储能单元及第二储能单元；其中，
所述预充电模块一端与第一位线相连接，另一端与第二位线相连接，用于将所述第一位线及所述第二位线预充电至预设电压；
所述第一输入输出端与所述第一位线相连接；所述第二输入输出端与所述第二位线相连接；
所述第一PMOS管的栅极经由所述第二开关单元与所述第二输入输出端相连接，所述第一PMOS管的漏极经由所述第一开关单元与所述第一输入输出端相连接；所述第二PMOS管的栅极经由所述第一开关单元与所述第一输入输出端相连接，所述第二PMOS管的漏极经由所述第二开关单元与所述第二输入输出端相连接；所述第一NMOS管的栅极与所述第二输入输出端相连接，且经由所述第三开关单元与所述第一输入输出端相连接，所述第一NMOS管的漏极经由所述第三开关单元与所述第一输入输出端相连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第一输入输出端相连接，且经由所述第四开关单元与所述第二输入输出端相连接，所述第二NMOS管的漏极经由所述第四开关单元与所述第二输入输出端相连接；
所述第五开关单元一端与电源电压相连接，另一端与所述第一输入输出端相连接；所述第六开关单元一端与所述电源电压相连接，另一端与所述第二输入输出端相连接；
所述第一储能单元一端与所述第一输入输出端相连接，另一端经由所述第七开关单元接地；所述第二储能单元一端与所述第二输入输出端相连接，另一端经由所述第八开关单元接地；
所述第一开关单元、所述第二开关单元、所述第三开关单元及所述第四开关单元用于将所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第一NMOS管及所述第二NMOS管配置为放大模式或二极管模式。


2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：第九开关单元及第十开关单元；所述第九开关单元一端与所述第一位线相连接，另一端与所述第一储能单元的一端相连接；所述第十开关单元一端与所述第二位线相连接，另一端与所述第二储能单元的一端相连接。


3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：第十一开关单元及第十二开关单元；所述第十一开关单元一端与所述第一位线相连接，另一端与所述第一输入输出端相连接；所述第十二开关单元一端与所述第二位线相连接，另一端与所述第二输入输出端相连接。


4.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：第一驱动管及第二驱动管；所述第一驱动管一端与所述电源电压相连接，另一端与所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极相连接；所述第二驱动管一端接地，另一端与所述第一NMOS管的源极及所述第二NMOS管的源极相连接。


5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一驱动管包括PMOS管，所述第一驱动管的源极与所述电源电压相连接，所述第一驱动管的漏极与所述第一PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：季汝敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34